CY7C1612KV18-250BZXC

Описание компонента CY7C1612KV18-250BZXC от Infineon

Общее описание: CY7C1612KV18-250BZXC — это высокопроизводительная синхронная SRAM память с квадратурным интерфейсом данных (QDR II), производства компании Infineon. Этот чип обладает объемом памяти 144Mbit и работает на частоте до 250 MHz.

Преимущества:

• Высокая скорость работы благодаря частоте 250 MHz.
• Параллельный интерфейс обеспечивает быструю и стабильную передачу данных.
• Низкое напряжение питания от 1.7V до 1.9V, что снижает энергопотребление.
• Поддержка QDR II интерфейса, который позволяет осуществлять операции чтения и записи одновременно, удваивая пропускную способность.

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами SRAM.
• Ограниченное применение из-за специфического интерфейса.

Типовое использование:

• Системы на кристалле (SoC)
• Сетевое оборудование, такое как маршрутизаторы и коммутаторы
• Высокопроизводительные вычислительные системы

Рекомендации по применению:

• Идеально подходит для приложений, требующих высокой пропускной способности и низкой задержки.
• Рекомендуется использовать с устройствами, поддерживающими QDR II интерфейс для максимальной производительности.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile
• Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
• Размер памяти: 144Mbit
• Организация памяти: 8M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 250 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
• Корпус: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги:

• Похожие модели с другими параметрами скорости или объема памяти в линейке Infineon или других производителей, таких как Micron или Samsung, могут быть рассмотрены в качестве альтернатив.

Этот компонент подходит для разработчиков, стремящихся максимизировать производительность своих систем с минимальным энергопотреблением.