CY7C1570KV18-450BZC

CY7C1570KV18-450BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1570KV18-450BZC представляет собой высокопроизводительное синхронное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) второго поколения DDR II+ от компании Infineon. Этот чип обеспечивает высокую скорость передачи данных и надёжность, подходя для использования в различных приложениях, требующих высокой производительности и больших объёмов памяти.

Преимущества

• Высокая скорость работы - поддержка частоты до 450 МГц.
• Большой объём памяти - 72 Мбит (2 млн. слов по 36 бит).
• Стабильная работа - благодаря низкому напряжению питания и оптимизации для высокой частоты.
• Компактный корпус - FBGA корпус (15x13 мм), что позволяет использовать его в компактных устройствах.

Недостатки

• Узкий температурный диапазон - от 0°C до 70°C, что ограничивает использование в экстремальных условиях.
• Сложность пайки - требует надёжной технологии монтажа для соблюдения всех условий пайки поверхностного монтажа (SMD).

Типовое использование

• Сетевые решения - маршрутизаторы, коммутаторы и другое оборудование для передачи данных.
• Телекоммуникации - базовые станции и другое оборудование.
• Военные и аэрокосмические приложения - для высокопроизводительных вычислений.
• Промышленные контроллеры - системы автоматизации и управления.

Рекомендации по применению

• Электропитание: рекомендованное напряжение питания составляет 1.7V ~ 1.9V.
• Качество пайки: используйте высококачественное оборудование для надежности монтажа.
• Тепловой режим: следите за температурой, чтобы не превышать допустимый диапазон.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
• Организация памяти: 2M x 36
• Интерфейс памяти: Parallel
• Частота работы: до 450 МГц
• Корпус/Пакет: 165-FBGA (13x15)
• Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
• Питание: 1.7V ~ 1.9V

Аналоги

• Micron: MT47H64M16HR-25E
• Samsung: K4B2G0846B-HCF8
• Hynix: H5TQ1G63EFR-PBC