CY7C1568KV18-550BZXI

Описание продукта: CY7C1568KV18-550BZXI от Infineon Technologies

Общее описание: CY7C1568KV18-550BZXI - это интегральная схема статического оперативного запоминающего устройства (SRAM) с двойной скоростью передачи данных (DDR II+), предназначенная для высокоскоростных приложений, требующих большой пропускной способности и низкой задержки. Этот чип SRAM имеет объем памяти 72 Мбит и организован как 4M x 18.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile, SRAM - Synchronous, DDR II+
• Размер памяти: 72Mbit
• Организация памяти: 4M x 18
• Интерфейс: Параллельный
• Частота тактового сигнала: 550 MHz
• Время записи - слово, страница: -
• Напряжение питания: от 1.7V до 1.9V
• Рабочая температура: от -40°C до 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 165-LBGA
• Размер корпуса: 165-FBGA (13x15)

Преимущества:

• Высокая скорость работы и низкая задержка, что идеально подходит для приложений, требующих высокой пропускной способности.
• Поддержка широкого диапазона напряжений питания обеспечивает гибкость в различных рабочих условиях.
• Компактный размер корпуса позволяет экономить место на плате.

Типичное использование:

• Системы на кристалле (SoC)
• Сетевое оборудование
• Высокопроизводительные вычислительные системы
• Телекоммуникационное оборудование

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте адекватное охлаждение компонента для предотвращения перегрева при высоких частотах работы.
• Используйте стабильные источники питания для минимизации шума и колебаний напряжения.

Аналоги:

• Поиск аналогов может быть выполнен среди других SRAM чипов с аналогичными характеристиками, предлагаемых различными производителями.

Этот продукт представляет собой высококачественное решение для разработчиков, ищущих надежные и быстрые памятные решения для своих проектов.