CY7C1568KV18-550BZXC

Описание продукта: CY7C1568KV18-550BZXC

Производитель: Infineon Technologies

Описание: CY7C1568KV18-550BZXC - это интегральная схема памяти SRAM типа DDR II+ с объемом 72Mbit, организованная как 4M x 18. Эта микросхема предназначена для высокоскоростных приложений, где требуется быстрый доступ к данным и высокая пропускная способность.

Основные характеристики:

• Тип памяти: Волатильная (SRAM - Synchronous, DDR II+)
• Объем памяти: 72Mbit
• Организация памяти: 4M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: 550 MHz
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
• Корпус: 165-LBGA
• Размер корпуса: 165-FBGA (13x15)

Применение: CY7C1568KV18-550BZXC широко используется в системах, где необходима высокая скорость обработки данных, таких как сетевое оборудование, серверы, высокопроизводительные вычислительные системы и другие приложения, требующие быстрого доступа к большим объемам данных.

Преимущества:

• Высокая скорость доступа и пропускная способность благодаря DDR II+ технологии.
• Поддержка широкого диапазона напряжений питания.
• Подходит для высокотемпературных рабочих условий.

Недостатки:

• Ограниченный диапазон рабочих температур по сравнению с другими типами SRAM, которые могут поддерживать более высокие температуры.
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти из-за высокоскоростных характеристик и технологии DDR II+.

Эта микросхема памяти идеально подходит для разработчиков и инженеров, работающих над проектами, где требуется быстрый доступ к большим объемам данных с минимальной задержкой.