CY7C1545KV18-400BZXI

48 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7C1545KV18-400BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1545KV18-400BZXI представляет собой 72-мегабитный синхронный статический ОЗУ (SRAM) с параллельным интерфейсом и архитектурой QDR II+. Этот компонент разработан для обеспечения высокоскоростного доступа к данным с тактовой частотой до 400 МГц, что делает его идеальным для использования в высокопроизводительных вычислительных приложениях.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Тактовая частота до 400 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
  • Архитектура QDR II+: Позволяет эффективнее обрабатывать данные благодаря отдельным шинам чтения и записи.
  • Надежность: Производственный процесс и проверенные технологии Infineon обеспечивают высокую надежность и длительный срок службы компонента.
  • Рабочий диапазон температур: Подходит для промышленных приложений благодаря диапазону температур от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Потребление энергии: Относительно высокое потребление энергии по сравнению с другими типами памяти.
  • Сложность интеграции: Требует точных установок для поддержания высокой частоты работы и минимизации ошибок.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные серверы: Для обработки больших объемов данных с минимальными задержками.
  • Сетевое оборудование: Для быстрого обмена данными в маршрутизаторах и коммутационных устройствах.
  • Телекоммуникационные системы: В обеспечении высокоскоростной передачи данных и сигналов.

Рекомендации по применению

  • Проектирование плат: Требуется тщательная разводка печатных плат для работы с высокой частотой.
  • Электропитание: Обеспечьте стабильное питание в диапазоне от 1.7 В до 1.9 В для стабильной работы.
  • Теплоотвод: Рассмотрите системы охлаждения для поддержания температуры в допустимых пределах.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile SRAM
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 400 МГц
  • Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Монтаж: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1514KV18-400BZXI: Альтернативное решение с похожими характеристиками.
  • IS61QDPB41M36-250M: Альтернативное решение от ISSI с QDR архитектурой.

Этот компонент идеально подойдет для высокопроизводительных приложений, где требуется максимальная скорость обмена данными и надежность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК