CY7C1526KV18-300BZXC

37 200,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C1526KV18-300BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1526KV18-300BZXC — это высокоскоростная память SRAM (Synchronous SRAM) с архитектурой Quad Data Rate II (QDR II). Она предназначена для использования в высокопроизводительных приложениях, где требуется быстрая передача данных и высокая пропускная способность.

Преимущества

  • Высокая скорость: Тактовая частота до 300 МГц.
  • Низкое напряжение питания: Работа при напряжении питания от 1.7 В до 1.9 В, что способствует снижению потребления энергии.
  • Синхронная передача данных: Позволяет достигать высокой производительности за счет синхронизации всех операций.
  • Компактный корпус: Упаковка в 165-FBGA (13x15 мм) способствует экономии места на плате.

Недостатки

  • Устаревшая модель: Некоторые из этих компонентов могут быть сняты с производства.
  • Ограниченный температурный диапазон: Работа только в диапазоне от 0°C до 70°C, что может не соответствовать требованиям некоторых промышленных приложений.

Типовое использование

  • Маршрутизаторы и коммутаторы: Ранее использовались в высокопроизводительных сетевых устройствах.
  • Телекоммуникационное оборудование: В местах, где требуется быстрая и эффективная обработка данных.
  • Высокоскоростные буферные системы: Для промежуточного хранения данных при передаче между высокоскоростными интерфейсами.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте стабильное питание в диапазоне 1.7 В - 1.9 В для надежной работы устройства.
  • Используйте подходящую разводку платы для обеспечения требуемых скоростей передачи данных и уменьшения помех.
  • Поддерживайте температурные условия эксплуатации устройства в пределах 0°C - 70°C.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Размер памяти: 72 Мбит (8Mx9)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: До 300 МГц
  • Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1526KV18-300BAXC: Аналогичная модель с другими температурными или упаковочными характеристиками.
  • IS61QDP72M18A-300M: Альтернативный QDR II SRAM фамилии Integrated Silicon Solution Inc. с похожими характеристиками.

Заключение

CY7C1526KV18-300BZXC — это надежное и высокопроизводительное решение для работы в средах, требующих быстрой передачи данных. Несмотря на то, что компонент может быть устаревшим, он по-прежнему может предоставлять отличные функциональные возможности для специализированных применений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК