CY7C1523AV18-250BZC

18 000,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY7C1523AV18-250BZC от Infineon


Общее описание:

CY7C1523AV18-250BZC — это высокопроизводительный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) типа DDR II, разработанное Infineon. Объем памяти составляет 72 Мбит, с организацией в 4M x 18. Данный компонент выполнен в корпусе 165-FBGA с размерами 15x17 мм и предназначен для монтажа на поверхность (Surface Mount).


Преимущества:

  • Высокая скорость работы: Тактовая частота до 250 МГц позволяет использовать этот SRAM в высокопроизводительных приложениях.
  • Низкое напряжение питания: Работает в диапазоне напряжений от 1.7В до 1.9В, что способствует снижению энергопотребления.
  • Синхронная работа: Обеспечивает синхронизацию всех операций, что повышает стабильность и производительность системы.

Недостатки:

  • Устаревшая модель: Этот компонент имеет статус "Снято с производства" (Obsolete), что может затруднить его приобретение и обслуживание.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°С до 70°С может не подходить для экстремальных условий эксплуатации.

Типовое использование:

  • Сетевые устройства: Маршрутизаторы, коммутаторы, сетевые процессоры.
  • Системы связи: Базовые станции, модемы.
  • Промышленные системы: Встроенные системы, контрольные и измерительные приборы.
  • Военные и авиационные системы: Радарные системы, системы связи.

Рекомендации по применению:

  • Тщательный контроль температуры: Учитывайте рабочий диапазон температур и обеспечивайте надлежащее охлаждение, если это необходимо.
  • Адекватное питание: Обеспечьте стабильное напряжение питания в пределах 1.7В ~ 1.9В.
  • Совместимость с системой контроля: Убедитесь, что ваша система управления имеет возможность синхронизации с DDR II памяти.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: Волатильная (Volatile)
  • Формат памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Объем памяти: 72 Mбит
  • Организация памяти: 4M x 18
  • Интерфейс памяти: Параллельный (Parallel)
  • Тактовая частота: до 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Температурный диапазон: 0°С ~ 70°С (TA)
  • Тип корпуса: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги:

  • CY7C1524KV18 от Cypress: Схожие характеристики объема и частоты.
  • IS61WV102416BLL от ISSI: Несколько меньшее напряжение питания и меньший объем памяти.
  • AS7C38096A от Alliance Memory: 36Mбит аналог с более широким температурным диапазоном.

Пожалуйста, учтите все возможные факторы при выборе и использовании данного компонента в своих проектах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК