CY7C1520KV18-333BZXI

13 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента: CY7C1520KV18-333BZXI

Общее описание

CY7C1520KV18-333BZXI от Infineon — это синхронная DDR II SRAM-микросхема (Static Random-Access Memory) объемом 72 Мбит. Этот компонент предназначен для высокоскоростных приложений, требующих высокой пропускной способности и надежного хранения данных. Устройство поставляется в корпусе 165-FBGA (13x15 мм), что делает его удобным для монтажа на печатные платы.

Преимущества

  • Высокая скорость: Тактовая частота до 333 МГц обеспечивает высокоскоростной доступ к данным.
  • Большой объем памяти: 72 Мбит памяти позволяет хранить большое количество данных.
  • Низкое энергопотребление: Оптимизированное напряжение питания 1.7В ~ 1.9В для снижения энергопотребления.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что делает его подходящим для различных эксплуатационных условий.
  • Высокая надежность: Синхронная работа обеспечивает стабильность и надежность хранения данных.

Недостатки

  • Сложность в проектировании: Требует детального подхода к проектированию печатных плат для обеспечения полной скорости и функциональности.
  • Стоимость: Высокопроизводительные компоненты могут иметь повышенную стоимость.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные вычислительные системы
  • Серверные и сетевые приложения
  • Системы искусственного интеллекта и машинного обучения
  • Промышленные системы управления
  • Военные и аэрокосмические приложения

Рекомендации по применению

  • Используйте качественные платы с низким уровнем шумов и наводок для обеспечения стабильной работы на высоких частотах.
  • Необходимо предусмотреть эффективное рассеяние тепла для работы при максимальной заданной температуре.
  • Следуйте рекомендациям по монтажу и пайке, чтобы избежать повреждения микросхемы и обеспечить надежное соединение.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
  • Формат памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: 333 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Корпус / Форм-фактор: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1522KV18-333BZXI от Infineon: Схожие характеристики с немного другим объемом.
  • MB85RC256VPNF-G-JNERE1 от Fujitsu: Альтернатива с другим формат-фактором и объемом памяти.

Использование данных микросхем позволит достичь высокой производительности и надежности в различных высокоскоростных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК