CY7C1520KV18-250BZXC

23 760,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1520KV18-250BZXC от Infineon


Общее описание:

CY7C1520KV18-250BZXC – это синхронная статическая память (SRAM), производимая компанией Infineon. Данный компонент имеет емкость 72 мегабита и поддерживает интерфейс параллельного типа. Он выполняет операции записи и считывания данных с высокой скоростью, что делает его идеальным решением для применения в системах с высокими требованиями к производительности.

Преимущества:

  • Высокая емкость: 72 мегабита SRAM обеспечивают значительные возможности хранения данных.
  • Высокая скорость: частота тактового сигнала до 250 МГц позволяет обрабатывать данные быстро и эффективно.
  • Синхронная работа: позволяет выполнять операции в такт с системным тактовым сигналом, что повышает точность тайминга.

Недостатки:

  • Операционный температурный диапазон: ограничение по эксплуатации при температурах от 0°C до 70°C может быть недостатком в условиях экстремальной температуры.
  • Потребляемая мощность: высокая скорость работы требует сравнимо большего энергопотребления.

Типовое использование:

  • Высокопроизводительные вычислительные системы
  • Сетевые оборудования и маршрутизаторы
  • Системы хранения данных
  • Цифровые сигнальные процессоры (DSP)
  • Системы телеком-оборудования

Рекомендации по применению:

  • Электропитание: рекомендуется использовать стабильный источник питания с напряжением 1.7В – 1.9В для обеспечения корректной работы компонента.
  • Переходные процессы: обеспечьте минимизацию шумов и переходных процессов для стабилизации работы при высоких частотах.
  • Температура: следите за температурными условиями эксплуатации, избегайте использования устройства вне рекомендованного диапазона температур.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: Volatile (энергозависимая память)
  • Формат памяти: SRAM – синхронная, DDR II
  • Емкость памяти: 72 мегабита
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: до 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В - 1.9В
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги:

  • CY7C1514KV18-250BZC: Схожий компонент с 36 мегабитами памяти и аналогичными характеристиками.
  • IDT72V285LA15PFI8: Подобный по функционалу и характеристикам, производимый IDT.
  • IS61NS12872A-250TQ2LI: Альтернатива от ISSI с аналогичными параметрами.

Внимательно следуйте рекомендациям по применению и учитывайте спецификации компонента для оптимальной работы вашей системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК