CY7C1518KV18-333BZXC

Описание

CY7C1518KV18-333BZXC - это высокоскоростная синхронная память DDR II (Double Data Rate II) SRAM с объемом 72 мегабит. Разработана и выпускается компанией Infineon Technologies. Эта память предназначена для использования в приложениях, требующих высокой производительности и надежности хранения данных.

Преимущества

• Высокая скорость: Операционная частота до 333 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных.
• Большой объем памяти: 72 мегабита, организованная как 4M x 18 бит.
• Широкий диапазон напряжений питания: Поддержка напряжения от 1.7V до 1.9V.
• Компактный корпус: Поставляется в корпусе 165-FBGA (13x15 мм), что упрощает монтаж на плату.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть недостаточным для экстремальных условий эксплуатации.
• Сложность в управлении: Требует точной организации синхронизации и управления для достижения оптимальной производительности.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Коммутаторы, маршрутизаторы и другие устройства связи, требующие высокой пропускной способности данных.
• Системы хранения данных: Используется в высокопроизводительных системах хранения данных.
• Военные и аэрокосмические приложения: Для обработки данных в реальном времени при ограниченных ресурсах.

Рекомендации по применению

• Проектирование PCB: Тщательно продумайте разводку печатной платы для минимизации электромагнитных помех и обеспечения стабильной работы на высоких частотах.
• Теплоотвод: Используйте адекватные средства теплоотвода для поддержания температуры памяти в допустимых пределах.
• Синхронизация: Обеспечьте правильную синхронизацию сигналов для достижения максимальной производительности.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Синхронная, DDR II
• Объем памяти: 72 мегабита (4M x 18)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: До 333 МГц
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1069G30 от Cypress Semiconductor – альтернативная рандом-доступная память SRAM для других специфических нужд.
• IS61WV102416BLL от ISSI – другой вариант высокоскоростной SRAM, но с меньшим объемом памяти.

Для получения дополнительных деталей и документации, пожалуйста, обращайтесь к официальным источникам информации на сайте Infineon Technologies.