CY7C1518KV18-333BZI

CY7C1518KV18-333BZI от Infineon

CY7C1518KV18-333BZI — это высокоскоростная синхронная память SRAM на 72 мегабита, работающая по технологии DDR II от компании Infineon. Этот компонент предназначен для использования в приложениях, требующих высокой производительности и надежности.

Преимущества:

• Высокая скорость: Рабочая частота до 333 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
• Объем памяти: 72 мегабита, что позволяет хранить значительные объемы данных.
• Надежность: Стабильная работа в температурном диапазоне от -40°C до 85°C.

Недостатки:

• Устаревший: Текущий статус компонента — устаревший, что может затруднить его поиск и приобретение.
• Нестандартное напряжение: Требуемое напряжение питания 1.7В ~ 1.9В отличается от более распространённых значений.

Типовое использование:

• Сетевое оборудование: Роутеры, свитчи, маршрутизаторы.
• Телекоммуникационные системы: Базовые станции, оптические системы передачи данных.
• Измерительные приборы и системы: Для обработки больших объемов данных в реальном времени.

Рекомендации по применению:

• Монтирование: Поверхностный монтаж (Surface Mount) в корпусах FBGA для уменьшения пространства на плате.
• Управление теплом: Необходимо обеспечить адекватное охлаждение для поддержания стабильной работы в верхней части температурного диапазона.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: SRAM — синхронная, DDR II
• Объём памяти: 72 мегабита (4M x 18)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота: 333 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 165-FBGA (13х15 мм)

Возможные аналоги:

• CY7C1514KV18-333BZI: Сходные характеристики, отличается объем памяти.
• CY7C1515KV18-333BZI: Схожий компонент от того же производителя с увеличенной вместимостью.

Данный модуль идеально подойдет для современных высокопроизводительных систем, требующих надежного и быстрого хранения данных.