CY7C1518KV18-333BZC

37 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1518KV18-333BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1518KV18-333BZC представляет собой высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с объемом памяти в 72 мегабита производства компании Infineon. Этот компонент относится к типу DDR II SRAM и обеспечивает высокую скорость передачи данных, что делает его идеальным для использования в приложениях, требующих быстрого доступа к данным.

Преимущества

  • Высокая скорость передачи данных: Поддержка частоты до 333 МГц.
  • Широкий диапазон напряжения питания: Рабочее напряжение составляет от 1.7V до 1.9V.
  • Встроенные архитектурные особенности: Поддержка одновременного чтения и записи для эффективной обработки данных.
  • Компактная упаковка: Поверхностный монтаж в компактном корпусе FBGA.

Недостатки

  • Ограниченные температурные условия: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может ограничивать использование в экстремальных условиях.
  • Сложность интеграции: Требует тщательного проектирования печатной платы для стабильной работы на высоких частотах.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы, рабочие станции, центры обработки данных.
  • Мультимедийные приложения: Видеокарты, системы обработки видео.
  • Коммуникационные системы: Сетевое оборудование, маршрутизаторы, коммутаторы.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное охлаждение: Для стабильной работы на высоких частотах важно наличие эффективной системы охлаждения.
  • Обратите внимание на разводку: Применяйте высококачественные методы разводки печатных плат для обеспечения целостности сигнала.
  • Проверьте совместимость по электропитанию: Убедитесь, что источники питания соответствуют требованиям по напряжению и току.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Внутренняя память SRAM DDR II
  • Объем памяти: 72 мегабита (4М x 18)
  • Частота тактового сигнала: 333 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В - 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C - 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
  • Тип интерфейса: Параллельный

Возможные аналоги

  • CY7C1514KV18-333BZC от Infineon: Похожий по функциональности SRAM с меньшим объемом памяти.
  • IS61/62WV51216BLL от Integrated Silicon Solution Inc (ISSI): Другой высокоскоростной SRAM с низким энергопотреблением.
  • MT48LC16M16A2P-6A от Micron Technology: SDRAM для аналогичных приложений.

Использование CY7C1518KV18-333BZC поможет значительно повысить производительность систем, требующих высокоскоростного доступа к памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК