CY7C1515KV18-250BZI

Описание CY7C1515KV18-250BZI от Infineon

CY7C1515KV18-250BZI - это высокоскоростная синхронная статическая оперативная память (SRAM) на 72 Мбит от компании Infineon, выполненная по технологии QDR II (Quad Data Rate II). Этот компонент предназначен для систем, требующих высокой пропускной способности и малых задержек.

Преимущества

• Высокая пропускная способность: До 250 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных.
• Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение питания в диапазоне от 1,7 В до 1,9 В.
• Повышенная надежность: Способность работать в широком температурном диапазоне от -40°C до 85°C.

Недостатки

• Сложность интеграции: Требуются глубокие знания по проектированию высокоскоростных систем и синхронизации.
• Цена: Высокая стоимость по сравнению с менее производительными типами памяти.

Типовое использование

• Высокоскоростные сетевые устройства и маршрутизаторы.
• Системы обработки сигналов в реальном времени.
• Мультимедийные системы и игровые консоли.

Рекомендации по применению

• При проектировании учитывайте требования по согласованию импеданса и качеству сигнала для обеспечения надлежащей работы на высоких частотах.
• Используйте подходящий охлаждающий элемент или систему терморегулирования для поддержания стабильной работы в температурных диапазонах.
• Проверьте совместимость с другими компонентами системы по уровням напряжения и синхронизации.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Волатильная (SRAM - синхронная, QDR II).
• Объем памяти: 72 Мбит.
• Организация памяти: 2M x 36 бит.
• Интерфейс памяти: Параллельный.
• Тактовая частота: до 250 МГц.
• Рабочее напряжение: 1,7 В ~ 1,9 В.
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C.
• Корпус: 165-LBGA (13x15 мм).

Возможные аналоги

• Micron Technology MT54D512M36D2TG-062 XT.
• Samsung K7Q163654B серии.
• IDT 71V67603S166BFT8 серии.

Используйте CY7C1515KV18-250BZI от Infineon для создания высокопроизводительных систем с минимальными задержками передачи данных, что особенно важно для критических приложений.