CY7C1515AV18-200BZXI

27 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY7C1515AV18-200BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1515AV18-200BZXI – это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) типа QDR II (Quad Data Rate II) от компании Infineon, с емкостью 72 Мбит. Чип предназначен для использования в высокоскоростных системах передачи данных, где важна высокая пропускная способность и минимальная задержка.

Преимущества

  • Высокая пропускная способность – благодаря типу памяти QDR II и частоте 200 МГц.
  • Низкое энергопотребление – работает при напряжении питания от 1,7 В до 1,9 В.
  • Широкий диапазон рабочих температур – от -40°C до +85°C, подходит для различных сценариев применения.
  • Компактный корпус – поставляется в корпусе 165-FBGA размером 15x17 мм, что упрощает интеграцию в компактные устройства.

Недостатки

  • Устаревшая модель – данный чип имеет статус "устаревший", что может затруднить его закупку и замену в долгосрочной перспективе.
  • Сложность интеграции – использование QDR II памяти требует разработанных знаний в области высокоскоростных цифровых схем.

Типовое использование

  • Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы – обеспечение быстрой обработки пакетов данных.
  • Системы хранения данных – кэширование и буферизация данных.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы – использование в качестве высокоскоростной оперативной памяти.

Рекомендации по применению

  1. Планирование мощности питания – убедитесь, что блок питания поддерживает напряжения в диапазоне 1,7 В ~ 1,9 В.
  2. Теплоотведение – как и для всех высокоскоростных компонентов, рекомендуется продумать систему теплоотведения.
  3. Симуляция и тестирование – перед внедрением в конечное устройство, рекомендуется провести симуляции и тестирование схемы для обеспечения совместимости и стабильности работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Статическая энергия независимая память QDR II (SRAM)
  • Емкость памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 200 МГц
  • Напряжение питания: от 1,7 В до 1,9 В
  • Рабочая температура: от -40°C до +85°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1515AV18-200AXC – от того же производителя, с аналогичными характеристиками, но другим температурным диапазоном.
  • IS61QDP2B72M36-250BQL – от ISSI, аналогичная QDR II SRAM с несколько отличными параметрами.
  • MCM72D536AXQ-125 – от ON Semiconductor, аналогичная QDR SRAM память.

Этот компонент предлагает высокопроизводительное решение для требовательных к скорости приложений. Учитывайте его статус "устаревший" при планировании закупок и долгосрочного использования.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК