CY7C1515AV18-200BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента CY7C1515AV18-200BZXI от Infineon
Общее описание
CY7C1515AV18-200BZXI – это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) типа QDR II (Quad Data Rate II) от компании Infineon, с емкостью 72 Мбит. Чип предназначен для использования в высокоскоростных системах передачи данных, где важна высокая пропускная способность и минимальная задержка.
Преимущества
- Высокая пропускная способность – благодаря типу памяти QDR II и частоте 200 МГц.
- Низкое энергопотребление – работает при напряжении питания от 1,7 В до 1,9 В.
- Широкий диапазон рабочих температур – от -40°C до +85°C, подходит для различных сценариев применения.
- Компактный корпус – поставляется в корпусе 165-FBGA размером 15x17 мм, что упрощает интеграцию в компактные устройства.
Недостатки
- Устаревшая модель – данный чип имеет статус "устаревший", что может затруднить его закупку и замену в долгосрочной перспективе.
- Сложность интеграции – использование QDR II памяти требует разработанных знаний в области высокоскоростных цифровых схем.
Типовое использование
- Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы – обеспечение быстрой обработки пакетов данных.
- Системы хранения данных – кэширование и буферизация данных.
- Высокопроизводительные вычислительные системы – использование в качестве высокоскоростной оперативной памяти.
Рекомендации по применению
- Планирование мощности питания – убедитесь, что блок питания поддерживает напряжения в диапазоне 1,7 В ~ 1,9 В.
- Теплоотведение – как и для всех высокоскоростных компонентов, рекомендуется продумать систему теплоотведения.
- Симуляция и тестирование – перед внедрением в конечное устройство, рекомендуется провести симуляции и тестирование схемы для обеспечения совместимости и стабильности работы.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Статическая энергия независимая память QDR II (SRAM)
- Емкость памяти: 72 Мбит
- Организация памяти: 2M x 36
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Частота тактового сигнала: 200 МГц
- Напряжение питания: от 1,7 В до 1,9 В
- Рабочая температура: от -40°C до +85°C (TA)
- Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)
Возможные аналоги
- CY7C1515AV18-200AXC – от того же производителя, с аналогичными характеристиками, но другим температурным диапазоном.
- IS61QDP2B72M36-250BQL – от ISSI, аналогичная QDR II SRAM с несколько отличными параметрами.
- MCM72D536AXQ-125 – от ON Semiconductor, аналогичная QDR SRAM память.
Этот компонент предлагает высокопроизводительное решение для требовательных к скорости приложений. Учитывайте его статус "устаревший" при планировании закупок и долгосрочного использования.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.