CY7C1513KV18-300BZXC

CY7C1513KV18-300BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1513KV18-300BZXC - это статическая оперативная память (SRAM) с синхронным интерфейсом, разработанная для высокоскоростных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Этот компонент имеет емкость в 72 Мбит и поддерживает частоту до 300 МГц. Устройство выполнено в компактном корпусе 165-FBGA, что делает его идеальным выбором для использования в современных высокопроизводительных системах.

Преимущества

• Высокая скорость: Благодаря максимальной частоте работы 300 МГц, данный SRAM обеспечивает быструю передачу данных.
• Большая емкость: 72 Мбит памяти позволяют обрабатывать значительные объемы данных.
• Компактный корпус: Форм-фактор 165-FBGA (13x15 мм) способствует экономии пространства на печатной плате.
• Надежность: Высокая надежность и длительный срок службы делают его подходящим для критически важных приложений.

Недостатки

• Высокая стоимость: Высокопроизводительные компоненты могут быть дороже в сравнении с более обычными аналогами.
• Требовательность к условиям эксплуатации: Для оптимальной работы требуется стабилизированное питание в диапазоне 1.7В ~ 1.9В и температурный режим от 0°C до 70°C.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы и другие сетевые устройства.
• Серверы и дата-центры: Обработка больших объемов данных в реальном времени.
• Мобильные и портативные устройства: Приборы, требующие высокой скорости и надежности хранения данных.
• Системы хранения данных: RAID-контроллеры и другие системы хранения с высокой производительностью.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащую стабилизацию напряжения питания в диапазоне 1.7В ~ 1.9В для стабильной работы устройства.
• Используйте качественную пайку и корректную тепловую прокладку для улучшения теплоотвода.
• Следите за соблюдением температурного режима эксплуатации от 0°C до 70°C для предотвращения перегрева и возможных отказов.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II
• Емкость памяти: 72 Мбит (4M x 18)
• Частота: до 300 МГц
• Интерфейс: Параллельный
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• Cypress CY7C1514KV18-300BZXC: Похожий по характеристикам компонент с большей организацией памяти.
• Renesas R1LV0408D: Статическая оперативная память с меньшей емкостью и скоростью работы.
• Micron MT48LC4M32B2: Альтернативная DRAM память для менее критичных приложений.