CY7C1513KV18-250BZXC

Описание для CY7C1513KV18-250BZXC от Infineon

CY7C1513KV18-250BZXC — это статическая оперативная память (SRAM) с синхронным QDR II интерфейсом, производимая компанией Infineon Technologies. Эта память обеспечивает высокую скорость передачи данных и надежность, что делает её идеальным выбором для приложений, требующих высокой производительности.

Общее описание

SRAM микросхема CY7C1513KV18-250BZXC имеет ёмкость 72Mбит и организована как 4M x 18. Она поддерживает параллельный интерфейс с частотой до 250 МГц и напряжением питания в диапазоне от 1,7В до 1,9В. Микросхема поставляется в корпусе 165-FBGA и предназначена для поверхностного монтажа.

Преимущества

• Высокая скорость передачи данных: благодаря поддержке синхронной работы с тактовой частотой до 250 МГц.
• Отличная надежность: SRAM технология и QDR II интерфейс обеспечивают стабильную и надёжную работу в различных условиях.
• Компактный корпус: корпус типа 165-FBGA (13x15) позволяет сэкономить место на печатной плате.

Недостатки

• Ограниченное напряжение питания: требование к питанию от 1,7В до 1,9В может ограничивать совместимость с некоторыми системами.
• Ограниченный температурный диапазон: рабочий температурный диапазон ограничен от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых промышленных приложений.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы и другое сетевое оборудование, требующее высокой скорости передачи данных.
• Телекоммуникационные системы: базовые станции и другие элементы телекоммуникационной инфраструктуры.
• Высокопроизводительные компьютеры: серверы и суперкомпьютеры, где ключевым фактором является высокая пропускная способность памяти.

Рекомендации по применению

• Совместимость с интерфейсом QDR II: используйте эту микросхему в системах, поддерживающих интерфейс QDR II для достижения максимальной производительности.
• Правильное питание: обеспечьте стабилизированное питание в диапазоне 1,7В - 1,9В.
• Охлаждение: при необходимости используйте дополнительные методы охлаждения для поддержания рабочего температурного диапазона.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
• Объем памяти: 72Mбит
• Организация памяти: 4M x 18
• Частота тактового сигнала: до 250 МГц
• Напряжение питания: 1,7В - 1,9В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Корпус: 165-FBGA (13x15)
• Тип монтажа: поверхностный

Возможные аналоги

• Cypress Semiconductor CY7C1514KV18-250BZXC: аналогичный по характеристикам SRAM чип с уменьшенным объёмом памяти 36Mбит.
• Renesas R1QJ24B72BB333FBK0: аналогичный по типу и интерфейсу RAM IC, но с более высокой частотой (333 МГц).
• Micron MT54HT7264H36A-25 AAT: аналогичная микросхема, но с другим производителем и некоторыми отличиями в спецификациях.

Используя микросхему CY7C1513KV18-250BZXC вместе с другими высокоскоростными компонентами, вы сможете существенно повысить производительность своих систем.