CY7C1512V18-250BZXC

40 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C1512V18-250BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1512V18-250BZXC — это высокопроизводительная синхронная SRAM (Static Random Access Memory) с объемом памяти 72 Мбит и интерфейсом QDR II (Quad Data Rate II). Этот компонент предназначен для применения в системах связи и вычисления, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка.

Преимущества

  • Высокая скорость: частота до 250 МГц обеспечивает высокую пропускную способность данных.
  • Низкая задержка: благодаря синхронному интерфейсу, обеспечивается минимальная задержка при передаче данных.
  • Высокий объем памяти: 72 Мбит позволяют хранить значительный объем данных.
  • Надежность и стабильность: выполнен по современной технологии, обеспечивающей длительный срок службы и устойчивость к воздействиям внешних факторов.

Недостатки

  • Устаревшая модель: статус "Obsolete" означает, что компонент может быть снят с производства, что затруднит его поиск и замену в будущем.
  • Высокое энергопотребление: требуются высокие значения питания, что может увеличивать энергозависимость устройств.

Типовое использование

  • Сетевые устройства: маршрутизаторы, коммутаторы и другое оборудование связи.
  • Обработка видео и изображений: системы, требующие высокой скорости обработки данных.
  • Встроенные системы: устройства, требующие быстрого доступа к большим объемам данных.

Рекомендации по применению

  • Питание: обеспечьте стабильное питание в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
  • Температурный режим: работайте в пределах температурного диапазона от 0°C до 70°C.
  • Монтаж: рекомендуется поверхностный монтаж (Surface Mount) для надежного функционирования.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: ВОЗ (Volatile) SRAM
  • Формат памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 4M x 18
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: до 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: от 0°C до 70°C
  • Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

  • CY7C1514V18-250BZC – аналогичная SRAM от Infineon с другими объемами памяти.
  • CY7C1526KV18-200BZC – SRAM с чуть большей частотой, подходящая для аналогичных приложений.

Заключение

CY7C1512V18-250BZXC от Infineon — это мощный и надежный SRAM компонент, оптимально подходящий для высокопроизводительных систем связи и обработки данных. При выборе данного компонента рекомендуется учитывать его текущий статус как устаревший (Obsolete) и планировать возможные замены.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК