CY7C1512KV18-300BZXI

35 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Сравнения - CY7C1512KV18-300BZXI от Infineon


Общее описание

CY7C1512KV18-300BZXI – это высокопроизводительная синхронная оперативная память SRAM с технологией QDR II (Quad Data Rate II), объемом 72 Мбит, производимая компанией Infineon. Этот компонент разработан для применения в современной высокочастотной цифровой электронике, где критически важны высокая скорость передачи данных и надежность.

Преимущества

  • Высокая скорость: Рабочая частота компонента достигает 300 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность.
  • Надежность: Температурный диапазон от -40°C до 85°C позволяет использовать компонент в широком диапазоне условий.
  • Компактность: Корпус типа 165-FBGA (13x15) обеспечивает оптимизацию пространства на печатной плате.

Недостатки

  • Потребление энергии: Потребление относительно высокое, что может быть критичным в системах с ограниченными источниками питания.
  • Комплексное управление: Для использования требуется сложное управление сигналами и большой объем информации для правильного функционирования.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Основная память для процессоров и микроконтроллеров.
  • Сетевое оборудование: Системы маршрутизации и коммутации, требующие высокой пропускной способности.
  • Цифровая обработка сигналов: Реализация быстрых алгоритмов обработки данных в реальном времени.

Рекомендации по применению

  • Установка: Рекомендуется пайка методом поверхностного монтажа (SMT) для надежного соединения.
  • Стабильное питание: Обеспечьте питание в диапазоне 1.7 – 1.9 В для стабильной работы устройства.
  • Температурный контроль: Мониторинг температурных условий, особенно при граничных температурах эксплуатации.

Основные технические характеристики

Характеристика Значение
Тип памяти SRAM - синхронная, QDR II
Объем памяти 72 Мбит
Организация памяти 4M x 18
Интерфейс памяти Параллельный
Частота 300 МГц
Напряжение питания 1.7 В ~ 1.9 В
Рабочая температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип корпуса 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C1512KV18-300BZXC (альтернативный корпус)
  • CY7C1521KV18-300BZXQ (с схожей частотой и объемом памяти, другой организация памяти)
  • AS7C40963A-10BJI (аналог от другого производителя с похожими спецификациями)

Интернет-магазину компонентов данный продукт позволит удовлетворить потребности клиентов в высокопроизводительной оперативной памяти с перспективными характеристиками для самых разнообразных областей применения.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК