CY7C1512KV18-250BZXI

29 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание компонента CY7C1512KV18-250BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1512KV18-250BZXI – это синхронная статическая оперативная память (SRAM) типа QDR II. Она обладает объемом 72 Мбит и выполнена в корпусе 165-FBGA (13x15). Этот модуль памяти предназначен для высокопроизводительных приложений, требующих минимальной задержки при доступе к данным и высокой частоты обработки.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота до 250 МГц.
  • Низкая задержка: Что делает его оптимальным для использования в приложениях, требующих быстрого доступа к данным.
  • Стабильная работа: Способность работать в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C.
  • Компактность: Корпус 165-FBGA позволяет уменьшить объем занимаемого места на плате.

Недостатки

  • Стоимость: Высокая производительность может сопровождаться высокой ценой.
  • Сложность интеграции: Микросхемы этого типа требуют точной настройки и профессионального подхода при проектировании схем.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные вычислительные системы.
  • Телекоммуникационные устройства.
  • Магистральные маршрутизаторы и коммутаторы.
  • Системы обработки видео и аудио данных в реальном времени.
  • Военные и авиационные приложения, требующие надежной и быстрой памяти.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте правильную настройку питания в пределах 1.7В до 1.9В.
  • Следите за температурными условиями эксплуатации.
  • Используйте элементы охлаждения при работе в экстремальных температурах для поддержания стабильной работы микросхемы.
  • Планируйте монтаж и пайку в соответствии с требованиями к 165-FBGA корпусу для обеспечения правильного соединения и минимизации задержек.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Объем памяти: 72Mbit
  • Организация памяти: 4M x 18
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота: 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
  • Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C1514KV18: Другой модуль SRAM от Infineon с подобными характеристиками, но с другим объемом памяти.
  • IS61WV51216BLL-10TLI: Аналогичная SRAM микросхема от другого производителя для различных областей применения.

Этот модуль памяти обеспечит надежность и высокую производительность для вашего проекта, сделав его идеальным выбором для критичных к скорости задач.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК