CY7C1512KV18-250BZC

CY7C1512KV18-250BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1512KV18-250BZC - это синхронная статическая оперативная память (SRAM) с интерфейсом QDR II (Quad Data Rate II) от компании Infineon. Данный чип является высокопроизводительной памятью с низкой задержкой, предназначенной для использования в приложениях, требующих высоких скоростей передачи данных, таких как маршрутизаторы, коммутаторы, телекоммуникационное оборудование и устройства хранения данных.

Преимущества

• Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц позволяет обмениваться данными с максимально возможной пропускной способностью.
• Низкая задержка: Интерфейс QDR II обеспечивает минимальную задержку при чтении и записи данных, что особенно важно для телекоммуникационных приложений.
• Синхронность: Согласование всех операций с тактовым сигналом минимизирует вероятность ошибок и упрощает управление памятью.
• Широкий диапазон напряжений питания: Поддерживает диапазон напряжений питания от 1,7В до 1,9В.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых приложений с высокими требованиями к температурной устойчивости.
• Величина корпуса: Форм-фактор 165-FBGA (13x15 мм) может быть не всегда удобен для применения в компактных устройствах.

Типовое использование

• Высокоскоростные маршрутизаторы и коммутаторы
• Телекоммуникационное оборудование
• Системы хранения данных
• Устройства обработки цифровых сигналов
• Органы управления сетевой инфраструктурой

Рекомендации по применению

1. Перед началом использования убедитесь, что напряжение питания памяти лежит в диапазоне от 1,7В до 1,9В.
2. Учредите адекватное охлаждение и вентиляцию для обеспечения надежной работы в пределах заявленных температурных спецификаций.
3. Используйте адекватную схемотехнику для согласования тактовых сигналов и минимизации задержек.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II
• Размер памяти: 72 мегабита
• Организация памяти: 4M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота: 250 МГц
• Напряжение питания: 1,7В ~ 1,9В
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• Cypress Semiconductor CY7C1514KV18-250BZC
• IDT 7Q4MRH4272

Этот высокоэффективный модуль SRAM предназначен для критически важных приложений, где требуется высокая скорость передачи данных и минимальная задержка.