CY7C1480BV33-250BZXC

CY7C1480BV33-250BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1480BV33-250BZXC - это высокоскоростная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM), производимая компанией Infineon. Эта микросхема имеет объем 72 мегабит и предназначена для применения в системах с высокой производительностью. Устройство поддерживает параллельный интерфейс и работает на частоте до 250 МГц, что обеспечивает минимальное время доступа в 3 нс.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа всего 3 наносекунды позволяет использовать эту микросхему в высокопроизводительных системах.
• Большой объем памяти: 72 Мбит памяти предоставляет достаточно пространства для хранения данных.
• Параллельный интерфейс: Обеспечивает быстрый и эффективный обмен данными с другими компонентами системы.
• Широкий диапазон напряжений питания: Поддерживает напряжения питания от 3.135В до 3.6В, что делает микросхему гибкой в применении.

Недостатки

• Операционный диапазон температуры: Микросхема предназначена для работы в диапазоне температур от 0°C до 70°C, что может ограничить ее применение в экстремальных условиях.
• Температурные ограничения: Для применения в суровых условиях могут потребоваться дополнительные меры по охлаждению и защите.

Типовое использование

• Высокопроизводительные вычислительные системы: Отлично подходит для серверов и рабочих станций.
• Сетевое оборудование: Используется в маршрутизаторах и коммутаторах для быстрой обработки данных.
• Хранение данных: Подходит для временного хранения данных в системах с большим количеством операций ввода-вывода.
• Встроенные системы: Применяется в микроконтроллерах и FPGA для временного хранения данных и кэшей.

Рекомендации по применению

• Проверьте совместимость: Перед использованием убедитесь, что микросхема удовлетворяет требованиям вашей системы, особенно по напряжению питания и интерфейсам.
• Температурный режим: Убедитесь, что температура окружающей среды соответствует спецификации устройства для обеспечения стабильной работы.
• Охлаждение: В некоторых случаях может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева при максимальных нагрузках.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, SDR
• Размер памяти: 72 Мбит
• Организация памяти: 2M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового генератора: 250 МГц
• Время доступа: 3 нс
• Напряжение питания: 3.135В ~ 3.6В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1460BV33-250BZXC: От аналогичного производителя с схожими характеристиками, предлагать для замены при необходимости.
• IS61WV5128BLL-10TLI: Память от ISSI, подходящая для других видов применения.
• MT48LC32M8A2P-75: DRAM чип от Micron, может быть использован в подобной роли.

С данными характеристиками и рекомендациями, CY7C1480BV33-250BZXC является отличным выбором для высокопроизводительных систем и приложений, где важны скорость и надежность работы.