CY7C1474V25-200BGI

34 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1474V25-200BGI от Infineon

Общее описание

CY7C1474V25-200BGI - это высокопроизводительная статическая память (SRAM) синхронного типа с объемом 72 Мбит, выпускаемая компанией Infineon. Эта SRAM предназначена для широкого спектра приложений, где важны высокая скорость доступа и надежность. Чип имеет параллельный интерфейс и работает на частоте до 200 МГц, что делает его идеальным для использования в высокоскоростных системах обработки данных.

Преимущества

  • Высокая скорость: частота до 200 МГц и время доступа 3 нс обеспечивают быструю работу.
  • Большой объем памяти: 72 Мбит SRAM позволяет хранить значительный объем данных.
  • Надежность: хорошо подходит для приложений, требующих высокой надежности и времени безотказной работы.
  • Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что расширяет возможности применения в различных условиях.

Недостатки

  • Вольтаж: Требование к напряжению питания 2.375V - 2.625V может быть ограничением для некоторых систем.
  • Устаревающая технология: Статическая память (SRAM) может уступать по энергоэффективности более новым типам памяти.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы
  • Системы хранения данных: RAID-контроллеры
  • Высокопроизводительные вычисления: серверы, рабочие станции
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Промышленные системы управления

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте достаточное охлаждение, так как высокие частоты работы могут приводить к значительному нагреву.
  • Убедитесь в точности напряжения питания для стабильной работы памяти.
  • Используйте в приложениях, где критически важны высокая скорость доступа и устойчивость к температурным колебаниям.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, SDR
  • Объем памяти: 72 Мбит
  • Организация памяти: 1M x 72
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: до 200 МГц
  • Время доступа: 3 нс
  • Напряжение питания: 2.375V - 2.625V
  • Рабочая температура: от -40°C до +85°C
  • Корпус: 209-FBGA (14x22)
  • Монтаж: Поверхностный монтаж

Возможные аналоги

  • CY7C1475V25-200BGI: Похожий по техническим характеристикам, но может иметь отличающиеся параметры организации памяти.
  • IS61C5128AL-10TLI от ISSI: SRAM с аналогичным объемом и интерфейсом.

Надеемся, что это описание поможет вам определиться с выбором и детально понять возможности и ограничения компонента CY7C1474V25-200BGI от Infineon.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК