CY7C1440KV33-250BZXI

16 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C1440KV33-250BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1440KV33-250BZXI - 36-мегабитная асинхронная статическая память с произвольным доступом (Synchronous SRAM) производства Infineon Technologies. Этот микросхема обладает высокой производительностью и предназначена для приложений, требующих быстрой и надежной обработки данных.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 2.6 наносекунды, что обеспечивает быструю передачу данных и минимальную задержку.
  • Большой объем памяти: Объем памяти составляет 36 Мбит, что позволяет хранить значительное количество данных.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Работает при напряжении питания от 3.135В до 3.6В.
  • Температурный диапазон: От -40°C до 85°C, что делает ее пригодной для использования в разнообразных рабочих условиях.

Недостатки

  • Потребление энергии: В приложениях, где критически важна энергоэффективность, увеличенный объем памяти и высокая производительность могут привести к большему потреблению энергии.

Типовое использование

  • Сетевые устройства: Используется в маршрутизаторах, коммутаторах и других сетевых устройствах для быстрой обработки и передачи данных.
  • Системы хранения данных: Применяется в системах высокой производительности для временного хранения данных.
  • Телекоммуникации: Используется в телекоммуникационных устройствах для обработки сигналов и управления трафиком данных.

Рекомендации по применению

  • Проверка совместимости: Перед использованием убедитесь в совместимости с вашей схемой и другими компонентами.
  • Защита от перегрева: Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева, особенно при высоких скоростях работы.
  • Проверка напряжения питания: Убедитесь, что напряжение питания находится в допустимом диапазоне от 3.135В до 3.6В.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Вольтабельная SRAM
  • Формат памяти: Synchronous, SDR
  • Объем памяти: 36 Мбит (1M x 36)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 250 МГц
  • Время доступа: 2.6 нс
  • Напряжение питания: 3.135В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Тип крепления: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
  • Корпус: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

  • CY7C1441KV33-250BZXI: Подобная микросхема с аналогичными характеристиками, но с другим объемом памяти.
  • CY7C1460KV33-250BZXI: Микросхема с увеличенным объемом памяти и аналогичными скоростными характеристиками.

Используйте CY7C1440KV33-250BZXI в приложениях, требующих высокой производительности и надежной работы памяти, чтобы обеспечить оптимальную работу ваших устройств.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК