CY7C1440KV25-250BZXI

10 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1440KV25-250BZXI - SRAM Память от Infineon

Общее описание

CY7C1440KV25-250BZXI от Infineon - это статическая оперативная память (SRAM) объемом 36 Мбит. Данная микросхема предназначена для высокоскоростных операций и обладает интерфейсом параллельного типа. Идеальна для применения в системах, требующих высоких скоростей передачи данных.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота до 250 МГц и время доступа 2.6 нс.
  • Большой объем: Объем памяти составляет 36 Мбит.
  • Широкий диапазон напряжений: Рабочее напряжение составляет от 2.375 В до 2.625 В.
  • Устойчивость к температурным перепадам: Диапазон рабочей температуры от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Последний шанс к покупке: Компонент находится в статусе "Last Time Buy", что может затруднить его доступность в будущем.
  • Значительный размер корпуса: 165-FBGA (15x17), что может быть неудобно для монтажей с ограниченным пространством.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Свичи, маршрутизаторы, контроллеры.
  • Телекоммуникационные системы: Базовые станции, коммутаторы.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы, рабочие станции.
  • Медицинское оборудование: Аппараты для обработки данных.

Рекомендации по применению

  • Осуществляйте монтаж на поверхность под стандартный корпус 165-FBGA для обеспечения надежного контакта.
  • Обеспечьте стабильное питание в диапазоне 2.375В - 2.625В для корректной работы устройства.
  • Применяйте в системах с требованием высокой скорости доступа к данным.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, SDR
  • Объем памяти: 36 Мбит (1 М x 36)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота: 250 МГц
  • Время доступа: 2.6 нс
  • Напряжение питания: 2.375В ~ 2.625В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус / корпус устройства: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

  • CY7C1460KV25-250BZXI: Подобная модель с теми же характеристиками, но с меньшим объемом памяти (18 Мбит).
  • CY7C1470KV25-250BZXI: Различие в объеме памяти (72 Мбит), тем не менее совместима по другим параметрам.

Заключение

Микросхема CY7C1440KV25-250BZXI подходит для приложений, где важны высокая скорость обработки данных и стабильность работы при различных температурах. Однако учитывайте статус компонента "Last Time Buy" и возможные трудности с его приобретением в будущем.

CY7C1440KV25-250BZXI - SRAM Память от Infineon

Общее описание

CY7C1440KV25-250BZXI от Infineon - это статическая оперативная память (SRAM) объемом 36 Мбит. Данная микросхема предназначена для высокоскоростных операций и обладает интерфейсом параллельного типа. Идеальна для применения в системах, требующих высоких скоростей передачи данных.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота до 250 МГц и время доступа 2.6 нс.
  • Большой объем: Объем памяти составляет 36 Мбит.
  • Широкий диапазон напряжений: Рабочее напряжение составляет от 2.375 В до 2.625 В.
  • Устойчивость к температурным перепадам: Диапазон рабочей температуры от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Последний шанс к покупке: Компонент находится в статусе "Last Time Buy", что может затруднить его доступность в будущем.
  • Значительный размер корпуса: 165-FBGA (15x17), что может быть неудобно для монтажей с ограниченным пространством.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Свичи, маршрутизаторы, контроллеры.
  • Телекоммуникационные системы: Базовые станции, коммутаторы.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: Серверы, рабочие станции.
  • Медицинское оборудование: Аппараты для обработки данных.

Рекомендации по применению

  • Осуществляйте монтаж на поверхность под стандартный корпус 165-FBGA для обеспечения надежного контакта.
  • Обеспечьте стабильное питание в диапазоне 2.375В - 2.625В для корректной работы устройства.
  • Применяйте в системах с требованием высокой скорости доступа к данным.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, SDR
  • Объем памяти: 36 Мбит (1 М x 36)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота: 250 МГц
  • Время доступа: 2.6 нс
  • Напряжение питания: 2.375В ~ 2.625В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус / корпус устройства: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

  • CY7C1460KV25-250BZXI: Подобная модель с теми же характеристиками, но с меньшим объемом памяти (18 Мбит).
  • CY7C1470KV25-250BZXI: Различие в объеме памяти (72 Мбит), тем не менее совместима по другим параметрам.

Заключение

Микросхема CY7C1440KV25-250BZXI подходит для приложений, где важны высокая скорость обработки данных и стабильность работы при различных температурах. Однако учитывайте статус компонента "Last Time Buy" и возможные трудности с его приобретением в будущем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК