CY7C1426KV18-250BZC

Описание:

CY7C1426KV18-250BZC - это синхронная статическая оперативная память (SRAM) с двойной скоростью квадратичной передачи данных второго поколения (QDR-II). Данная микросхема обладает емкостью 36 Мбит и может работать на частоте до 250 МГц, обеспечивая высокую производительность в системах с интенсивным обменом данными.

Преимущества:

• Высокая производительность: Частота работы до 250 МГц позволяет обеспечивать быструю обработку данных.
• Низкое энергопотребление: Питание в диапазоне от 1.7В до 1.9В способствует снижению потребляемой энергии.
• Компактные размеры: Корпус типа FBGA-165 (13x15 мм) обеспечивает удобство монтажа и интеграции в компактные устройства.

Недостатки:

• Требования к охлаждению: Высокая рабочая частота может требовать дополнительных мер по теплоотведению для обеспечения надежности работы.

Типовое использование:

• Системы сетевых устройств, такие как маршрутизаторы и коммутаторы.
• Обработчики данных с высокой пропускной способностью.
• Серверные и телекоммуникационные устройства.
• Видеопроцессоры и специализированные вычислительные машины.

Рекомендации по применению:

• Для максимальной производительности рекомендуется оптимизировать условия теплоотведения.
• Следует учитывать затухание сигнала при высоких частотах и использовать качественные печатные платы с правильным трассировочным проектированием.
• Рекомендуется использовать микросхему в условиях рабочей температуры от 0°C до 70°C.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR-II
• Емкость памяти: 36 Мбит (4M x 9)
• Интерфейс: Параллельный
• Частота: до 250 МГц
• Питание: 1.7В ~ 1.9В
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C

Возможные аналоги:

• CY7C1426KV18-200BZC (низкая частота работы)
• CY7C1426KV18-167BZC (еще низкая частота работы, может быть полезно в менее критических к параметрам задачи)

Этот компонент идеально подходит для применения в высокопроизводительных системах, где требуется высокая плотность памяти и производительность.