CY7C1426JV18-300BZC

16 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1426JV18-300BZC от Infineon

Общее описание: CY7C1426JV18-300BZC – это высокоскоростная статическая оперативная память (SRAM) с организацией QDR II (Quad Data Rate II) от компании Infineon. Она предназначена для требовательных приложений, где важны высокая пропускная способность и минимальная задержка. Обладая емкостью 36 мегабит, данная память является отличным выбором для сетевых устройств, систем хранения данных и других высокопроизводительных устройств.

Преимущества:

  • Высокая скорость передачи данных: QDR II архитектура обеспечивает передачу данных на частотах до 300 МГц, что эквивалентно эффективной передаче на скорости 600 Мбит/с.
  • Большая емкость: 36 Мбит (4Mx9) позволяет хранить значительный объем данных.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение в диапазоне 1.7В ~ 1.9В снижает энергопотребление и тепловыделение.
  • Компактный корпус: Поставка в корпусе 165-FBGA (15x17 мм) подходит для плотного монтажа на печатные платы.

Недостатки:

  • Устаревшая модель: Данная модель на данный момент считается устаревшей, что может затруднить поиск и замену в будущем.
  • Сложность схемотехники: Использование QDR II памяти может потребовать более сложных схем решений для интеграции в систему.

Типовое использование:

  • Сетевое оборудование
  • Высокопроизводительные серверы
  • Системы хранения данных
  • Структурированные ASIC и FPGA решения

Рекомендации по применению:

  • Обеспечьте стабильное питание в рабочем диапазоне напряжений 1.7В ~ 1.9В для корректной работы устройства.
  • Защитите линии передачи данных от электромагнитных помех для устойчивой работы на высоких частотах.
  • Следите за температурным режимом устройства, рабочая температура соответствует 0°C ~ 70°C.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II
  • Емкость памяти: 36 Мбит (4M x 9)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: До 300 МГц
  • Время записи: -
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги:

  • CY7C1426KV18-300BZC (Infineon): Аналогичные характеристики, совместимость по выводам.
  • AS18400036 (Alliance Memory): Альтернативная высокопроизводительная SRAM память.

Использование CY7C1426JV18-300BZC от Infineon позволяет создавать высокопроизводительные системы с минимальными задержками, обеспечивая надежность и производительность в требовательных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК