CY7C1423KV18-250BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1423KV18-250BZXC — это высокоскоростная синхронная асинхронная память с произвольным доступом (SRAM) на 36 Мбит от компании Infineon Technologies. Этот модуль обеспечивает быстрый доступ к данным благодаря использованию технологии DDR II (Double Data Rate II). Чип выполнен в корпусе FBGA на 165 выводов, что обеспечивает его компактные размеры и удобство в установке на печатную плату.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Частота до 250 МГц позволяет обеспечивать высокоскоростные операции чтения и записи.
• Надежность и стабильность: Проектирование с использованием передовых технологий обеспечивает надежную работу устройства.
• Компактность и удобство монтажа: Корпус FBGA на 165 выводов подходит для монтажа на поверхности, что делает этот компонент идеальным для различных типов устройств.

Недостатки

• Наличие ограничения по температурному режиму: Рабочий диапазон температуры от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых приложений, требующих работы при экстремальных температурах.

Типовое использование

• Высокопроизводительные вычислительные системы.
• Сетевое оборудование.
• Видеокарты и устройства обработки графики.
• Серверные системы.
• Коммуникационное оборудование.

Рекомендации по применению

• Обеспечить достаточное охлаждение для минимизации тепловых воздействий.
• Учитывать напряжение питания в пределах 1.7V ~ 1.9V для стабильной работы.
• Следовать рекомендациям по монтажу для правильной установки на печатную плату.

Основные технические характеристики

• Размер памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 2M x 18 бит
• Частота работы: до 250 МГц
• Вольтаж питания: 1.7V ~ 1.9V
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15 мм)
• Диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C

Возможные аналоги

• CY7C1423KV18-250BZAXC: Похожий модуль с аналогичными характеристиками.
• CY7C1413KV18-250BZXC: Модификация с другой организацией памяти.
• IS61WV102416BLL10TLI от ISSI: Компонент с похожими характеристиками и назначением.

Заключение

CY7C1423KV18-250BZXC от Infineon — это высокопроизводительная и надежная память SRAM, подходящая для использования в различных современных устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи данных. При правильных условиях эксплуатации этот компонент продемонстрирует стабильную и долговечную работу.