CY7C1423AV18-267BZC

13 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Infineon CY7C1423AV18-267BZC

Общее описание

CY7C1423AV18-267BZC - это высокоскоростная, синхронная SRAM-память с интерфейсом DDR II (Double Data Rate II), объемом 36 Мбит. Она предназначена для работы с частотой до 267 МГц и поставляется в корпусе типа 165-FBGA (15x17 мм), который обеспечивает компактное и надежное крепление на печатной плате.

Преимущества

  • Высокая скорость передачи данных: До 267 МГц, что делает этот чип подходящим для высокопроизводительных приложений.
  • Синхронный интерфейс: Значительно упрощает интеграцию с другими высокоскоростными компонентами системы.
  • Компактный корпус: 165-FBGA (15x17 мм) предлагает оптимальное решение для плотного монтажа на печатных платах.

Недостатки

  • Устаревшая модель: Этот компонент считается устаревшим и может быть труднодоступным.
  • Высокое энергопотребление: Для некоторых приложений может потребоваться высокое напряжение питания (1.7V ~ 1.9V).
  • Температурные ограничения: Рабочий температурный диапазон ограничен от 0°C до 70°C, что может быть не подходящим для экстремальных условий.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Используется в маршрутизаторах, свитчах и других сетевых устройствах для быстрых операций чтения/записи.
  • Обработка сигнала: Подходит для DSP приложений, где высокая скорость передачи данных критична.
  • Системы хранения данных: В системах, требующих надежной и быстрой памяти для хранения промежуточной информации.

Рекомендации по применению

  • Тщательная интеграция: Убедитесь, что схема правильно синхронизирована с интерфейсом DDR II для оптимальной работы.
  • Контроль температуры: Следите за температурным режимом эксплуатации, так как превышение указанных диапазонов может привести к сбоям.
  • Энергоснабжение: Гарантируйте стабильное напряжение питания в пределах 1.7V ~ 1.9V для надёжной работы устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, DDR II
  • Объем памяти: 36 Мбит (2М x 18)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Максимальная частота: 267 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

  • IDT 71T75602S133BQG: Возможно заменой с аналогичными характеристиками по объему и интерфейсу.
  • Renesas R1RV1617RBG-5PR: Альтернативный вариант с близкими параметрами.
  • Micron MT45W8MW16BGX-701: Тем не менее, убедитесь в совместимости по ключевым параметрам.

Информация поможет вам принять осознанное решение при выборе высокоскоростной SRAM-памяти для критически важных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК