CY7C1420KV18-300BZXC

CY7C1420KV18-300BZXC от Infineon

Общее описание

Микросхема CY7C1420KV18-300BZXC представляет собой синхронную память типа SRAM с удвоенной скоростью передачи данных второго поколения (DDR II). Объем памяти составляет 36 Мбит, а организация - 1M x 36. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA с размерами 13x15 мм и предназначено для поверхностного монтажа.

Преимущества

• Высокая скорость работы: поддержка частоты до 300 МГц, что обеспечивает быстрый обмен данными.
• Энергоэффективность: напряжение питания от 1.7В до 1.9В снижает энергопотребление.
• Широкий диапазон рабочих температур: от 0°C до 70°C, что подходит для различных применений.

Недостатки

• Сложность в пайке и монтаже из-за большого количества выводов (165-FBGA).
• Ограниченный температурный диапазон, не подходящий для промышленного применения.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы.
• Хранение данных с высокой скоростью передачи: серверы, системы хранения данных.
• Прочие высокопроизводительные приложения: микроэлектронные устройства с высоким требованием к скорости памяти.

Рекомендации по применению

• Используйте в проектах, требующих высоких скоростей обработки данных.
• Обеспечьте надежную пайку при помощи специализированного оборудования для поверхностного монтажа.
• Контролируйте и поддерживайте стабильное напряжение питания в диапазоне 1.7В ~ 1.9В для предотвращения повреждений.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Волатильная
• Формат памяти: SRAM - синхронная, DDR II
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 1M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: 300 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

• CY7C1421KV18-300BZXC: Аналогичная микросхема с иной организацией памяти.
• IS61WV25616BLL-10BLI: Альтернативный вариант SRAM от ISSI, однако с меньшей частотой и объемом.

Заключение

CY7C1420KV18-300BZXC - отличное решение для высокопроизводительных приложений, где требуется быстрая и надежная память. С учетом всех характеристик и условий применения, эта микросхема гарантирует стабильную и эффективную работу в течение всего срока службы.