CY7C1420KV18-250BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1420KV18-250BZXC - SRAM памяти от Infineon
Общее описание
CY7C1420KV18-250BZXC - это производительный и надежный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) от компании Infineon. Объем памяти устройства составляет 36 Мбит. Эта память рассчитана на применение в высокопроизводительных системах благодаря своей архитектуре DDR II. Устройство поставляется в корпусе 165-FBGA размером 13x15 мм.
Преимущества
- Высокая скорость работы: Тактовая частота до 250 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
- Большой объем памяти: 36 Мбит позволяют хранить значительное количество данных.
- Надежность: Продукт от известного производителя Infineon гарантирует высокое качество и надежность.
- Синхронный интерфейс DDR II: Обеспечивает удвоенную скорость передачи данных в сравнении с традиционными SRAM.
Недостатки
- Требовательность к условиям эксплуатации: Рабочая температура ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может потребовать дополнительных мер для охлаждения в некоторых приложениях.
- Высокое энергопотребление: Для высоких частот и объемов памяти может потребоваться усиленное питание.
Типовое использование
- Сетевые устройства: Коммутаторы, маршрутизаторы и точки доступа.
- Хранилища данных: Серверы, системы хранения данных и другие высокопроизводительные вычислительные системы.
- Промышленные автоматизированные системы: Контроллеры и системы управления производственными процессами.
Рекомендации по применению
- Следует предусмотреть обеспечение стабильного питания в диапазоне 1.7-1.9В для стабильного функционирования устройства.
- Оптимальные условия эксплуатации - в диапазоне рабочих температур от 0°C до 70°C.
- Размещение компонентов на печатной плате должно учитывать тепловыделение и целостность сигнала.
Основные технические характеристики
Характеристика | Значение |
---|---|
Объем памяти | 36 Мбит |
Организация памяти | 1M x 36 |
Интерфейс памяти | Параллельный |
Тактовая частота | До 250 МГц |
Напряжение питания | 1.7V - 1.9V |
Рабочая температура | 0°C - 70°C |
Тип корпуса | 165-FBGA (13x15 мм) |
Технология памяти | SRAM - Synchronous, DDR II |
Возможные аналоги
- CY7C1414KV18-250BZC - SRAMP память от Infineon с аналогичными характеристиками.
- IS61LV5128AL-10TLI - аналоги от компании ISSI с похожими параметрами.
- AS7C31026B-12TIN - альтернативный продукт от Alliance Memory.
Заключение
CY7C1420KV18-250BZXC - высокопроизводительная SRAM-память, идеально подходящая для применения в сетевых и промышленных устройствах, а также в центрах обработки данных. С его помощью можно значительно повысить эффективность и скорость работы оборудования.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.