CY7C1418BV18-250BZXC

12 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1418BV18-250BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1418BV18-250BZXC — это высокопроизводительное синхронное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) DDR (Double Data Rate) II от компании Infineon Technologies. Оно имеет объем памяти 36 мегабит (2M x 18 бит) и работает с максимальной частотой 250 МГц. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA размером 15x17 мм и предназначено для поверхностного монтажа.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Частота до 250 МГц позволяет использовать CY7C1418BV18-250BZXC в высокопроизводительных приложениях, требующих быстрой обработки данных.
  • DDR-интерфейс: Double Data Rate интерфейс удваивает пропускную способность по сравнению с обычным SRAM.
  • Компактный корпус: 165-FBGA корпус обеспечивает компактность и удобство для плотного монтажа на платах.

Недостатки

  • Вычерпание производства: Устройство считается устаревшим (Obsolete), поэтому его может быть сложно найти на рынке.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может не удовлетворять требованиям некоторых промышленных и экстремальных условий эксплуатации.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Подходит для использования в высокоскоростных маршрутизаторах и коммутаторах.
  • Системы обработки данных: Подходит для применения в серверах и центрах обработки данных.
  • Цифровые системы: Может использоваться в цифровых системах управления и обработки сигналов.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: При проектировании предусматривать адекватное охлаждение, чтобы избежать перегрева из-за высокой рабочей частоты.
  • Питание: Использовать качественные источники питания с напряжением в пределах 1.7V ~ 1.9V для стабильной работы.
  • Монтаж: Соблюдать осторожность при поверхностном монтаже для предотвращения механических повреждений корпуса.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - Синхронная, DDR II
  • Объем памяти: 36 мегабит (2M x 18 бит)
  • Частота: до 250 МГц
  • Интерфейс: Параллельный, DDR II
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)
  • Монтаж: Поверхностный

Возможные аналоги

  • CY7C1410BV18-250BZXC от той же компании Infineon Technologies с аналогичными параметрами.
  • IS61VPD102418A-250B3 от ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) с схожими характеристиками и конфигурацией.

Этот компонент отлично зарекомендовал себя в высокопроизводительных системах, однако стоит учитывать его устаревший статус при выборе нового проекта.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК