CY7C1418BV18-250BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1418BV18-250BZXC от Infineon
Общее описание
CY7C1418BV18-250BZXC — это высокопроизводительное синхронное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) DDR (Double Data Rate) II от компании Infineon Technologies. Оно имеет объем памяти 36 мегабит (2M x 18 бит) и работает с максимальной частотой 250 МГц. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA размером 15x17 мм и предназначено для поверхностного монтажа.
Преимущества
- Высокая скорость работы: Частота до 250 МГц позволяет использовать CY7C1418BV18-250BZXC в высокопроизводительных приложениях, требующих быстрой обработки данных.
- DDR-интерфейс: Double Data Rate интерфейс удваивает пропускную способность по сравнению с обычным SRAM.
- Компактный корпус: 165-FBGA корпус обеспечивает компактность и удобство для плотного монтажа на платах.
Недостатки
- Вычерпание производства: Устройство считается устаревшим (Obsolete), поэтому его может быть сложно найти на рынке.
- Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может не удовлетворять требованиям некоторых промышленных и экстремальных условий эксплуатации.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Подходит для использования в высокоскоростных маршрутизаторах и коммутаторах.
- Системы обработки данных: Подходит для применения в серверах и центрах обработки данных.
- Цифровые системы: Может использоваться в цифровых системах управления и обработки сигналов.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: При проектировании предусматривать адекватное охлаждение, чтобы избежать перегрева из-за высокой рабочей частоты.
- Питание: Использовать качественные источники питания с напряжением в пределах 1.7V ~ 1.9V для стабильной работы.
- Монтаж: Соблюдать осторожность при поверхностном монтаже для предотвращения механических повреждений корпуса.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM - Синхронная, DDR II
- Объем памяти: 36 мегабит (2M x 18 бит)
- Частота: до 250 МГц
- Интерфейс: Параллельный, DDR II
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
- Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)
- Монтаж: Поверхностный
Возможные аналоги
- CY7C1410BV18-250BZXC от той же компании Infineon Technologies с аналогичными параметрами.
- IS61VPD102418A-250B3 от ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) с схожими характеристиками и конфигурацией.
Этот компонент отлично зарекомендовал себя в высокопроизводительных системах, однако стоит учитывать его устаревший статус при выборе нового проекта.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.