CY7C1415KV18-300BZI

12 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для CY7C1415KV18-300BZI от Infineon

Общее описание

CY7C1415KV18-300BZI от Infineon - это высокопроизводительная синхронная SRAM память с технологией QDR II. Эта память предназначена для применения в высокоскоростных вычислительных системах, обеспечивая высокую пропускную способность и низкие задержки.

Преимущества

  • Высокая производительность: Обеспечивает тактовую частоту до 300 МГц.
  • Большой объем памяти: 36 Мбит для хранения большого объема данных.
  • Высокая пропускная способность: Благодаря технологии QDR II, которая позволяет выполнять операции чтения и записи одновременно.
  • Компактный корпус: 165-FBGA (13x15 мм), что делает его удобным для монтажа на печатные платы с высоким уровнем интеграции.

Недостатки

  • Устаревшее состояние: Компонент отмечен как устаревший, что может затруднить его закупку в будущем.
  • Энергопотребление: Требует питания 1.7V ~ 1.9V, что может потребовать применения дополнительных стабилизаторов напряжения в схеме.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы, сетевые процессоры.
  • Высокопроизводительные вычисления: Серверы, рабочие станции, суперкомпьютеры.
  • Коммуникационные системы: Для обеспечения высокой скорости передачи данных.

Рекомендации по применению

  • Проектирование печатных плат: Учитывайте необходимый зазор между дорожками для предотвращения перекрестных помех.
  • Термическое управление: При проектировании учитывайте отвод тепла, так как высокоскоростная память может потребовать дополнительного охлаждения.
  • Питание: Убедитесь, что питание стабильно в пределах 1.7V ~ 1.9V для обеспечения надежной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Volatile SRAM - Synchronous, QDR II
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 1М x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: 300 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1414KV18: Аналогичный продукт от Infineon с немного меньшим объемом памяти.
  • CY7C1416KV18: Версия с увеличенным объемом памяти.
  • IS61QDR104218B-300B3LI от ISSI: QDR II SRAM с аналогичными характеристиками.

Такое описание поможет вашим клиентам лучше понять возможности и особенности продукта, а также правильно его интегрировать в их системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК