CY7C1414KV18-333BZC

Описание для CY7C1414KV18-333BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1414KV18-333BZC — это высокопроизводительное синхронное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) с объёмом памяти 36 Мбит, разработанное Infineon. Эта микросхема использует технологию QDR II, предоставляя параллельный интерфейс и работу на частоте до 333 МГц.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Частота до 333 МГц позволяет использовать этот компонент в высокопроизводительных системах.
• Надёжность: Надёжная конструкция и высокое качество от Infineon.
• Компактный форм-фактор: Поставляется в корпусе 165-FBGA, что делает его удобным для использования в компактных устройствах.

Недостатки

• Вольтаж: Требуется питание напряжением 1.7V-1.9V, что может быть не совместимо с некоторыми системами.
• Ограниченный температурный диапазон: Рабочий диапазон температур составляет от 0°C до 70°C, что может не подходить для экстремальных условий эксплуатации.

Типовое использование

• Коммуникационные системы: Высокоскоростные маршрутизаторы и коммутаторы.
• Сетевые устройства: Высокоскоростные сетевые адаптеры (NIC).
• Системы обработки данных: Серверы и другие высокопроизводительные вычислительные устройства.

Рекомендации по применению

• Согласование уровней напряжения: Проверьте, чтобы напряжение питания совпадало с требованиями компонента.
• Тепловое управление: При проектировании схем учитывайте тепловую модель, так как рабочий диапазон температур ограничен.
• Симуляция и тестирование: Перед применением выполните тщательное моделирование для обеспечения совместимости и устойчивости работы в вашей системе.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Статическая (SRAM) - синхронная, QDR II
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 1М x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: До 333 МГц
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Монтаж: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

• CY7C1414KV18-300BZC от Infineon: Схожие характеристики, но с частотой до 300 МГц.
• IDT70V06 от IDT (Integrated Device Technology): Другой вариант быстрого SRAM, но с различиями в организации памяти и интерфейсе.