CY7C1413KV18-300BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Интегральная схема SRAM CY7C1413KV18-300BZXC от Infineon
Общее описание
CY7C1413KV18-300BZXC – это синхронная SRAM память второго поколения QDR II от Infineon. Эта высокопроизводительная SRAM память имеет объем 36 Мбит и работает на частоте до 300 МГц. Она предназначена для приложений, требующих высокой пропускной способности и быстрого доступа к данным.
Преимущества
- Высокая частота работы: Частота до 300 МГц позволяет использовать память в высокопроизводительных системах.
- Низкое энергопотребление: Потребляемое напряжение составляет от 1.7 до 1.9 В, что позволяет снизить энергопотребление.
- Надежность: Интегральная схема изготовлена в прочном 165-FBGA корпусе, что обеспечивает надежность и долговечность.
Недостатки
- Температурный диапазон: Рабочая температура ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может стать ограничением для использования в условиях экстремальных температур.
- Важность согласования интерфейсов: Высокая скорость работы требует точного согласования интерфейсов, что может усложнить проектирование.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Поддержка высокоскоростной передачи данных.
- Коммуникационные системы: Высокая пропускная способность для обработки большого объема информации.
- Обработка данных в реальном времени: Применение в системах с высокими требованиями по скорости обработки.
Рекомендации по применению
- Тщательное проектирование: Из-за высокой скорости работы рекомендуется тщательное проектирование и тестирование электрических параметров схемы.
- Охлаждение: В условиях высокой производительности рекомендуется использование эффективных систем охлаждения.
Основные технические характеристики
Параметр | Значение |
---|---|
Тип памяти | SRAM - Синхронная, QDR II |
Объем памяти | 36 Мбит |
Организация памяти | 2 М x 18 |
Интерфейс памяти | Параллельный |
Частота работы | До 300 МГц |
Напряжение питания | 1.7 В - 1.9 В |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Корпус | 165-FBGA (13x15 мм) |
Возможные аналоги
- CY7C1411KV18 - Более низкая частота, аналогичная емкость и интерфейс.
- CY7C1414KV18 - Сходные параметры, наличие более высокой организации памяти.
Заключение
SRAM CY7C1413KV18-300BZXC от Infineon - это высокопроизводительная память, которая подходит для сложных задач, требующих быстрой и надежной обработки данных. Благодаря своим характеристикам, эта память находит широкое применение в высокоскоростных коммуникационных системах и сетевом оборудовании.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.