CY7C1413JV18-200BZXI

18 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание CY7C1413JV18-200BZXI от Infineon

Общее описание

Микросхема CY7C1413JV18-200BZXI - это синхронный статический оперативный запоминающий блок (SRAM) с технологией QDR II от компании Infineon. Объем памяти составляет 36 Мбит, организованная как 2M x 18. Устройство предназначено для высокопроизводительных приложений, требующих низкой задержки и высокой скорости передачи данных.

Преимущества

  • Высокая производительность: Благодаря синхронной работе и высокой тактовой частоте до 200 МГц, этот SRAM обеспечивает быструю передачу данных.
  • Низкая задержка: Технология QDR II позволяет выполнять чтение и запись одновременно, что снижает время задержки.
  • Компактность: Устройство поставляется в корпусе FBGA размером 15x17 мм, что упрощает монтаж и экономит место на плате.

Недостатки

  • Устаревший статус: Поскольку статус компонента обозначен как устаревший, его поддержка и доступность могут быть ограничены.
  • Вольтаж: Напряжение питания в диапазоне 1.7В - 1.9В может требовать дополнительных схем регулировки для правильной работы.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: Оптимально для маршрутизаторов и коммутаторов, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка.
  • Телекоммуникации: Применение в базовых станциях и других устройствах связи.
  • Обработка данных в реальном времени: Подходит для систем обработки сигналов и массивных вычислений.

Рекомендации по применению

  • Правильный монтаж: Рекомендуется использовать методы поверхностного монтажа для установки компонента в корпусе FBGA.
  • Электропитание: Следите за напряжением питания, чтобы оно находилось в пределах 1.7В - 1.9В.
  • Температурный режим: Обеспечьте устойчивую работу в пределах температуры от -40°C до 85°C.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронный, QDR II
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 18
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: До 200 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Температура рабочая: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
  • Корпус: 165-FBGA (размер 15x17 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1414JV18-200BZXI: Обладающий схожими характеристиками и объемом памяти.
  • IS61QDPB42M18A-200BLI от ISSI: Альтернативный модуль с поддержкой QDR II.

Пожалуйста, убедитесь, что эти аналоги соответствуют вашим требованиям перед заменой.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК