CY7C1413JV18-200BZXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание CY7C1413JV18-200BZXI от Infineon
Общее описание
Микросхема CY7C1413JV18-200BZXI - это синхронный статический оперативный запоминающий блок (SRAM) с технологией QDR II от компании Infineon. Объем памяти составляет 36 Мбит, организованная как 2M x 18. Устройство предназначено для высокопроизводительных приложений, требующих низкой задержки и высокой скорости передачи данных.
Преимущества
- Высокая производительность: Благодаря синхронной работе и высокой тактовой частоте до 200 МГц, этот SRAM обеспечивает быструю передачу данных.
- Низкая задержка: Технология QDR II позволяет выполнять чтение и запись одновременно, что снижает время задержки.
- Компактность: Устройство поставляется в корпусе FBGA размером 15x17 мм, что упрощает монтаж и экономит место на плате.
Недостатки
- Устаревший статус: Поскольку статус компонента обозначен как устаревший, его поддержка и доступность могут быть ограничены.
- Вольтаж: Напряжение питания в диапазоне 1.7В - 1.9В может требовать дополнительных схем регулировки для правильной работы.
Типовое использование
- Сетевое оборудование: Оптимально для маршрутизаторов и коммутаторов, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка.
- Телекоммуникации: Применение в базовых станциях и других устройствах связи.
- Обработка данных в реальном времени: Подходит для систем обработки сигналов и массивных вычислений.
Рекомендации по применению
- Правильный монтаж: Рекомендуется использовать методы поверхностного монтажа для установки компонента в корпусе FBGA.
- Электропитание: Следите за напряжением питания, чтобы оно находилось в пределах 1.7В - 1.9В.
- Температурный режим: Обеспечьте устойчивую работу в пределах температуры от -40°C до 85°C.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM - синхронный, QDR II
- Объем памяти: 36 Мбит
- Организация памяти: 2M x 18
- Интерфейс: Параллельный
- Частота тактового сигнала: До 200 МГц
- Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
- Температура рабочая: -40°C ~ 85°C (TA)
- Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
- Корпус: 165-FBGA (размер 15x17 мм)
Возможные аналоги
- CY7C1414JV18-200BZXI: Обладающий схожими характеристиками и объемом памяти.
- IS61QDPB42M18A-200BLI от ISSI: Альтернативный модуль с поддержкой QDR II.
Пожалуйста, убедитесь, что эти аналоги соответствуют вашим требованиям перед заменой.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.