CY7C1412KV18-250BZI

Описание компонента CY7C1412KV18-250BZI от Infineon

Общее описание

CY7C1412KV18-250BZI – это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) с синхронизацией и технологией QDR II, предложенная компанией Infineon. Устройство обладает емкостью 36 Мбит и предназначено для использования в коммуникациях и других приложениях, требующих высокой скорости передачи данных. Благодаря параллельному интерфейсу и частоте до 250 МГц, данный чип обеспечивает быструю и эффективную обработку данных.

Преимущества

• Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц обеспечивает высокую скорость передачи данных.
• Качественная синхронизация: Технология QDR II увеличивает скорость чтения и записи данных за счет раздельных шин.
• Надежная работа в широком диапазоне температур: Устройство стабильно работает при температурах от -40°C до +85°C.
• Широкий диапазон напряжений: Поддержка напряжения питания от 1,7В до 1,9В.

Недостатки

• Цена: Более высокие характеристики могут означать более высокую цену по сравнению с менее производительными альтернативами.
• Сложность интеграции: Требует тщательной настройки и дизайна платы для достижения максимальной производительности.

Типовое использование

• Сетевые коммуникации: Маршрутизаторы, коммутаторы и другие сетевые устройства.
• Телекоммуникационное оборудование: Базовые станции и другое оборудование для мобильных и фиксированных сетей.
• Высокоскоростной буфер данных: В системах с интенсивной обработкой данных.

Рекомендации по применению

• Правильный выбор питания: Обеспечьте стабильное питание в пределах 1,7В – 1,9В для надежной работы.
• Теплоотведение: Обеспечьте адекватное теплоотведение, чтобы чип оставался в пределах допустимого температурного диапазона.
• Назначение выводов: Внимательно следите за правильной разводкой и подключением выводов для обеспечения эффективной работы.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 2М x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: 250 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1412KV18-250BZXI от Infineon: Тот же чип с аналогичными свойствами.
• CY7C1460KV18-250BZC от Infineon: Другой вариант SRam QDR II с емкостью 18Мбит.
• IS61QDPB22M419-250BQL от ISSI: Альтернативный SRAM с аналогичной емкостью и характеристиками.

Надеюсь, это описание поможет вам лучше понять возможности и особенности CY7C1412KV18-250BZI.