CY7C1412AV18-200BZC

Описание компонента CY7C1412AV18-200BZC от Infineon

Общее описание

CY7C1412AV18-200BZC – это быстродействующая синхронная память SRAM с расширенным интерфейсом QDR II. Чип имеет емкость 36 мегабит и поддерживает частоту до 200 МГц. Он выполнен в компактном корпусе FBGA на 165 контактов размером 15х17 мм. Этот компонент используется в приложениях, требующих высокой скорости передачи данных и низкой задержки, таких как сетевые устройства и телекоммуникационные системы.

Преимущества

• Высокая скорость: Поддержка частоты до 200 МГц обеспечивает высокую пропускную способность.
• QDR II интерфейс: Позволяет одновременную передачу данных на считывание и запись, что увеличивает производительность.
• Высокая плотность: Емкость 36 мегабит позволяет хранить большие объемы данных.
• Компактный корпус: Surface Mount (SMD) корпус типа 165-FBGA облегчает интеграцию в схемы с ограниченным пространством.

Недостатки

• Устаревший статус: Этот компонент имеет статус "Obsolete", что может затруднить его доступность и техническую поддержку.
• Требовательность к питанию: Рабочее напряжение 1.7В - 1.9В требует стабильного источника питания.
• Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C ограничивает использование компонента в более экстремальных условиях.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы, шлюзы.
• Телекоммуникационные системы: Ретрансляторы, базовые станции.
• Высокопроизводительные вычислительные устройства: Серверы, системы хранения данных.

Рекомендации по применению

• Проверка доступности: Перед использованием убедитесь в наличии достаточного количества компонентов на складе или доступности его аналогов.
• Обеспечение стабильного питания: Используйте стабилизированные источники питания, чтобы соответствовать требованиям напряжения.
• Проектирование схемы: Учитывайте компактные размеры и особенности корпуса при проектировании печатных плат.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Вольтильная (Volatile)
• Технология: Синхронная SRAM, QDR II
• Емкость: 36 Мбит
• Организация памяти: 2M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота: До 200 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Корпус: 165-FBGA (15x17)

Возможные аналоги

1. CY7C1412KV18-200BZXC от Cypress Semiconductor – Высокопроизводительный вариант с аналогичными характеристиками.
2. CY7C1412AV18-200BZI от Infineon – Тот же компонент, но с улучшенным температурным диапазоном для использования в промышленных условиях.
3. IS61C1024AL-10JL-TR от ISSI – Альтернатива с улучшенными характеристиками скорости и питанием для аналогичных приложений.

используйте этот текст в вашем интернет-магазине для предоставления исчерпывающей информации пользователям и клиентам.