CY7C1393BV18-278BZC

Описание для сайта

CY7C1393BV18-278BZC - SRAM память 18 Мбит, 278 МГц, 165-FBGA

Производитель: Infineon Technologies

Общее описание: CY7C1393BV18-278BZC - это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) емкостью 18 мегабит, изготовленная по технологии DDR II и предназначенная для параллельного интерфейса. Чип упакован в корпусе 165-FBGA (13x15 мм), что обеспечивает его компактность и удобство в монтаже.

Преимущества:

• Высокая скорость работы до 278 МГц, что обеспечивает быстрый доступ к данным.
• Синхронная передача данных с DDR II интерфейсом, обеспечивая высокую пропускную способность.
• Компактный корпус 165-FBGA, что удобно для интеграции в системы с ограниченным пространством.

Недостатки:

• Устаревшая модель, что может ограничивать доступность и поддержку в будущем.
• Рабочая температура ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых промышленных приложений.

Типовое использование:

• Высокоскоростные вычислительные устройства.
• Встроенные системы.
• Цифровые сигналопроцессоры.
• Communication и сетевые устройства.

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте надлежащие условия монтажа для корпуса 165-FBGA.
• Следите за стабильностью питания в диапазоне 1.7V ~ 1.9V для корректной работы устройства.
• Убедитесь, что условия эксплуатации соответствуют допустимому диапазону рабочих температур от 0°C до 70°C.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: SRAM - синхронная, DDR II
• Емкость памяти: 18 Мбит
• Организация памяти: 1M x 18
• Интерфейс: Параллельный
• Частота тактового сигнала: 278 МГц
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Диапазон температур: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги:

• CY7C1393BV18-167BZC - версия с более низкой частотой (167 МГц).
• IS61WV51216BLL-10BLI от ISSI - аналогичная 512Kb чип SRAM.