CY7C1392CV18-200BZC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1392CV18-200BZC - Информация о компоненте
Производитель: Infineon Technologies
Manufacturer Part Number: CY7C1392CV18-200BZC
Общее описание
CY7C1392CV18-200BZC - это 16-мегабитная (2M x 8) SRAM с параллельным интерфейсом, построенная на технологии DDR II (Double Data Rate II). Это синхронная память с частотой работы до 200 МГц, обеспечивающая высокую производительность и низкое энергопотребление. Выполнена в компактном корпусе 165-FBGA (13x15 мм).
Преимущества
- Высокая скорость работы: Частота до 200 МГц позволяет использовать память в высокопроизводительных системах.
- Повышенная пропускная способность: DDR II обеспечивает удвоенную скорость передачи данных.
- Комактный корпус: Малый размер корпуса 165-FBGA подходит для использования в ограниченных пространством приложениях.
- Низкое энергопотребление: Питание от 1.7V до 1.9V снижает общее энергопотребление системы.
Недостатки
- Устарелость: Компонент маркирован как устаревший, что может вызвать сложности с его приобретением в будущем.
- Чувствительность к температуре: Рабочий температурный диапазон ограничен от 0°C до 70°C, что может ограничить использование в экстремальных условиях.
Типовое использование
- Системы хранения данных: Используется в высокоскоростных буферах и кэшах.
- Сетевое оборудование: Подходит для маршрутизаторов и коммутаторов, где необходима быстрая и надежная память.
- Промышленные контроллеры: Применяется в высокопроизводительных системах управления и автоматизации.
- Мобильные устройства: Используется в высококлассных мобильных устройствах, требующих высокой производительности памяти.
Рекомендации по применению
- Электропитание: Соблюдайте диапазон питающего напряжения 1.7V - 1.9V для корректной работы.
- Температура: Убедитесь, что среда эксплуатации поддерживает температурный диапазон от 0°C до 70°C.
- Интерфейс: Используйте синхронный параллельный интерфейс для достижения максимальной производительности.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM - Синхронная, DDR II
- Объем памяти: 16Mbit (2M x 8)
- Интерфейс: Параллельный
- Частота работы: До 200 МГц
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C (TA)
- Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
Возможные аналоги
- CY7C1399CV18-200BZC: Похожая DDR II SRAM от Cypress Semiconductor.
- IS62WV51216BLL-55TLI: Асинхронная SRAM от ISSI с меньшим объемом памяти для менее требовательных приложений.
- AS7C31026C-20TIN: Параллельная SRAM от Alliance Memory с аналогичными параметрами.
Используя данные рекомендации и информацию, вы сможете подобрать и интегрировать CY7C1392CV18-200BZC в вашу систему, обеспечив высокую производительность и надежность.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.