CY7C1381KV33-100BZXI

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1381KV33-100BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1381KV33-100BZXI представляет собой высокоскоростную синхронную статическую память SRAM объемом 18 Мбит, разработанную для использования в высокопроизводительных вычислительных и коммуникационных системах. Этот микросхема памяти с интерфейсом параллельного доступа и частотой до 100 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным и устойчивую работу в широком диапазоне температур.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота до 100 МГц и время доступа 8.5 нс обеспечивают быструю производительность.
  • Большой объем памяти: 18 Мбит, организовано на 512K x 36, идеально подходит для обработки больших объемов данных.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение от 3.135 В до 3.6 В позволяет снизить энергопотребление.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до +85°C поддерживает надежную работу в различных условиях.

Недостатки

  • Повышенная цена: Высокопроизводительные компоненты могут быть дороже менее мощных аналогов.
  • Сложность в проектировании: Встроенное программирование и управление памятью требуют опыта и знаний.

Типовое использование

  • Сетевые устройства: Роутеры, коммутаторы и серверы требуют быстрого доступа к оперативным данным.
  • Встроенные системы: Применяется в высокопроизводительных микроконтроллерах и процессорах.
  • Оборудование для обработки сигналов: Используется в DSP и других устройствах, требующих быстрой и надежной памяти.

Рекомендации по применению

  • Тщательное проектирование: Убедитесь в правильном выборе питания и заземления для минимизации шумов.
  • Использование экранирования: В целях уменьшения электромагнитных помех используйте соответствующие методы экранирования.
  • Учет температурных режимов: Обеспечьте адекватное охлаждение при работе в предельных температурных условиях.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM синхронная, SDR
  • Объем памяти: 18 Мбит
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота: до 100 МГц
  • Время доступа: 8.5 нс
  • Напряжение питания: 3.135 В ~ 3.6 В
  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
  • Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C1361 от Cypress Semiconductor: 9 Мбит SRAM с более низкой частотой.
  • IS61WV51236DBLL от ISSI: аналог с объёмом памяти 18 Мбит и похожими характеристиками.

С компонентом CY7C1381KV33-100BZXI от Infineon вы сможете обеспечить высокую производительность и надежность ваших систем, будь то в области сетевых технологий, обработки сигналов или встраиваемых решений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК