CY7C1370KV33-200BZXI

9 120,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7C1370KV33-200BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1370KV33-200BZXI от Infineon - это высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с объёмом памяти 18 Мбит. Этот чип поддерживает работу на частоте до 200 МГц и обладает временем доступа 3 нс. Устройство используется для хранения временной и временно чувствительной информации в различных высокоскоростных цифровых системах.

Преимущества

  • Высокая скорость: Рабочая частота до 200 МГц и время доступа 3 нс.
  • Большая ёмкость: Объём памяти 18 Мбит, что обеспечивает значительные возможности по хранению данных.
  • Надёжность и долговечность: Проектирован для работы в широком диапазоне температур (-40°C ~ 85°C).
  • Гибкость интерфейса: Поддерживает параллельный интерфейс.

Недостатки

  • Энергопотребление: Поскольку это высокопроизводительное устройство, оно может потреблять больше энергии по сравнению с менее производительными аналогами.
  • Стоимость: Могут быть дороже других типов памяти с меньшей производительностью.

Типовое использование

Цель применения этой SRAM включает:

  • Сетевые устройства: Такие как коммутаторы и маршрутизаторы.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы
  • Обработка сигнала: Использование в DSP и FPGA.
  • Военные и аэрокосмические системы: Требуют высоконадежных и быстродействующих компонентов.

Рекомендации по применению

  • Питание: Рекомендуется соблюдать номинальное напряжение питания в пределах 3.135V ~ 3.6V для стабильной работы.
  • Тепловой режим: Учитывайте возможность установки теплоотводов и вентиляции для предотвращения перегрева.
  • Фильтрация питания: Использование конденсаторов для фильтрации помех в цепи питания.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронный, SDR
  • Объём памяти: 18 Мбит (512К x 36)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: до 200 МГц
  • Время доступа: 3 нс
  • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15), монтаж на поверхность

Возможные аналоги

  • CY7C1370KV33-167AXI от Cypress
  • IS61WV51216BLL-10TLI от ISSI
  • AS7C34098A-12TQIN от Alliance Memory

Ваша надёжность и высокие требования к быстродействию могут быть удовлетворены с помощью CY7C1370KV33-200BZXI от Infineon.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК