CY7C1370KV33-200AXI

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание


CY7C1370KV33-200AXI от Infineon

Общее описание

CY7C1370KV33-200AXI — это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) с емкостью 18 мегабит с параллельным интерфейсом, разработанная компанией Infineon. Она предназначена для использования в высокоскоростных приложениях и идеально подходит для систем, требующих низкой задержки и высокой пропускной способности.

Преимущества

  • Высокая скорость: Тактовая частота до 200 МГц и время доступа 3 нс позволяют использовать этот компонент в высокоскоростных системах.
  • Низкая задержка: Обеспечивает минимальную задержку чтения и записи, что критично для высокопроизводительных вычислительных приложений.
  • Надежность: Поставляется в корпусе TQFP, который обеспечивает хорошую механическую прочность и удобен для поверхностного монтажа.

Недостатки

  • Устаревание: Компонент помечен как Последняя Закупка, что означает возможное прекращение производства в будущем.
  • Энергопотребление: Как и большинство высокоскоростных SRAM, может потреблять значительное количество энергии, что стоит учитывать в проектах с ограниченным энергопотреблением.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные вычислительные системы
  • Сетевое оборудование
  • Системы реального времени
  • Кэш-память для процессоров

Рекомендации по применению

  1. Обеспечьте адекватное питание и заземление: Для стабильной работы компонента используйте тщательно продуманный дизайн питания с минимально возможными пульсациями.
  2. Правильное размещение на плате: Периферийные компоненты должны быть расположены вблизи микросхемы, чтобы минимизировать индуктивность и сдвиг фаз.
  3. Термальный менеджмент: При высокочастотной работе убедитесь, что предусмотрено должное охлаждение для предотвращения перегрева.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Синхронная статическая оперативная память (SRAM)
  • Емкость памяти: 18 мегабит (512К x 36)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: до 200 МГц
  • Время доступа: 3 нс
  • Напряжение питания: 3.135В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: от -40°C до +85°C
  • Корпус: 100-TQFP (14x20 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1370F: Альтернативная версия с аналогичными характеристиками
  • IS61WV51236E: Похожая по параметрам SRAM от другого производителя
  • MT45W8MW16BGX-701: Pseudo-SRAM для аналогичных применений

Если вам нужны дополнительные сведения или помощь с выбором подходящих компонентов, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК