Описание компонента: CY7C1321KV18-333BZC

Общее описание

CY7C1321KV18-333BZC - это синхронная статическая память (SRAM) с двойной скоростью передачи данных (DDR II) от компании Infineon. Этот чип имеет емкость 18 Мбит и выполнен в корпусе поверхностного монтажа 165-FBGA (13x15 мм). Он предназначен для высокоскоростных приложений, требующих быстрой и надежной памяти.

Преимущества

• Высокая тактовая частота: До 333 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных.
• Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение всего 1.7V ~ 1.9V.
• Надежность: Высокий уровень надежности благодаря технологии DDR II.

Недостатки

• Снято с производства: На данный момент компонент считается устаревшим и может быть тяжело найти в крупных объемах.
• Температурный режим: Поддерживает ограниченный рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C, что может быть недостатком для некоторых промышленных приложений.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Роутеры и коммутаторы, где требуются быстродействующие операции с памятью.
• Серверы и дата-центры: Для хранения временных данных и кешей.
• Высокопроизводительные вычислительные системы: Научные вычисления, машинное обучение и искусственный интеллект.

Рекомендации по применению

• Обеспечение адекватного охлаждения: При проектировании устройств с использованием данных SRAM рекомендуется предусмотреть системы охлаждения для поддержания температуры в пределах допустимых значений.
• Проверка на пригодность: Убедитесь, что компонент совместим с другими частями вашей схемы и сможет удовлетворить все требования по скорости и объему памяти.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Волатильная
• Формат памяти: SRAM - Синхронная, DDR II
• Объем памяти: 18 Мбит
• Организация памяти: 512K x 36
• Частота тактового сигнала: до 333 МГц
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Рабочее напряжение: 1.7V ~ 1.9V
• Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1514KV18: DDR II SRAM с емкостью 36 Мбит.
• IS61QDP2B36M-250M3 от ISSI: Подобные характеристики и наличие.
• MT47H128M8CF-25E от Micron: Хотя это DRAM, он может быть использован в некоторых применениях как альтернатива.

Компонент CY7C1321KV18-333BZC от Infineon предлагает баланс между высокой производительностью и низким энергопотреблением, делая его отличным выбором для высокоскоростных сетевых и вычислительных приложений.