CY7C1320KV18-250BZXC

5 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание CY7C1320KV18-250BZXC от Infineon

CY7C1320KV18-250BZXC - это высокопроизводительный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM), предоставляющий емкость в 18 Мбит. Этот чип поддерживает синхронную работу и использует технологию DDR II, что позволяет значительно повысить пропускную способность при сохранении высокой скорости доступа к данным.

Преимущества:

  • Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц позволяет быстро осуществлять операции чтения и записи.
  • Большая емкость: 18 Мбит SRAM для обработки и хранения больших объемов данных.
  • Синхронная работа: Обеспечивает точный контроль над синхронизацией данных, минимизируя задержки.
  • DDR II технология: Повышает пропускную способность для быстрого доступа к данным.

Недостатки:

  • Энергопотребление: Энергопотребление может быть выше по сравнению с некоторыми другими типами памяти, особенно в интенсивных режимах работы.
  • Ограниченная температура эксплуатации: Рабочая температура чипа ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может не подойти для некоторых промышленных приложений.

Типовое использование:

  • Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы, серверы.
  • Встроенные системы: Устройства, требующие высокой скорости обработки данных.
  • Системы хранения данных: Буферы для высокопроизводительных дисковых систем и контроллеров памяти.
  • Мультимедийные устройства: Видео- и аудиоредакторы, устройства потоковой передачи данных.

Рекомендации по применению:

  • Соблюдайте рекомендации по питанию, обеспечивая напряжение в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
  • Используйте правильные методы отведения тепла, учитывая требования к температурному режиму.
  • Разместите компонент на печатной плате в соответствии с рекомендациями по монтажу SMT и дизайну PCB, чтобы избежать проблемы с электрическим шумом и перекрестными помехами.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
  • Формат памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Емкость памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512K x 36
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Рабочая частота: 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги:

  • Cypress CY7C1380KV33-167AXC
  • IDT 71V416S10PHI

Этот SRAM идеально подходит для тех приложений, где требуется высокая скорость доступа к данным и стабильная синхронная работа.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК