CY7C1320KV18-250BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание CY7C1320KV18-250BZXC от Infineon
CY7C1320KV18-250BZXC - это высокопроизводительный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM), предоставляющий емкость в 18 Мбит. Этот чип поддерживает синхронную работу и использует технологию DDR II, что позволяет значительно повысить пропускную способность при сохранении высокой скорости доступа к данным.
Преимущества:
- Высокая скорость: Рабочая частота до 250 МГц позволяет быстро осуществлять операции чтения и записи.
- Большая емкость: 18 Мбит SRAM для обработки и хранения больших объемов данных.
- Синхронная работа: Обеспечивает точный контроль над синхронизацией данных, минимизируя задержки.
- DDR II технология: Повышает пропускную способность для быстрого доступа к данным.
Недостатки:
- Энергопотребление: Энергопотребление может быть выше по сравнению с некоторыми другими типами памяти, особенно в интенсивных режимах работы.
- Ограниченная температура эксплуатации: Рабочая температура чипа ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может не подойти для некоторых промышленных приложений.
Типовое использование:
- Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы, серверы.
- Встроенные системы: Устройства, требующие высокой скорости обработки данных.
- Системы хранения данных: Буферы для высокопроизводительных дисковых систем и контроллеров памяти.
- Мультимедийные устройства: Видео- и аудиоредакторы, устройства потоковой передачи данных.
Рекомендации по применению:
- Соблюдайте рекомендации по питанию, обеспечивая напряжение в диапазоне 1.7V ~ 1.9V.
- Используйте правильные методы отведения тепла, учитывая требования к температурному режиму.
- Разместите компонент на печатной плате в соответствии с рекомендациями по монтажу SMT и дизайну PCB, чтобы избежать проблемы с электрическим шумом и перекрестными помехами.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: Volatile (энергозависимая)
- Формат памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
- Емкость памяти: 18 Мбит
- Организация памяти: 512K x 36
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Рабочая частота: 250 МГц
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
- Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
Возможные аналоги:
- Cypress CY7C1380KV33-167AXC
- IDT 71V416S10PHI
Этот SRAM идеально подходит для тех приложений, где требуется высокая скорость доступа к данным и стабильная синхронная работа.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.