CY7C1320CV18-250BZXC

CY7C1320CV18-250BZXC - Synchronous SRAM от Infineon

Общее описание

CY7C1320CV18-250BZXC – это высокопроизводительная синхронная статическая оперативная память (SRAM) объемом 18 Mbit, выпускаемая компанией Infineon Technologies. Она обладает интерфейсом DDR II и предназначена для использования в системах, требующих высокой скорости данных и надежности.

Преимущества

• Высокая скорость: Поддержка частоты до 250 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
• Низкое энергопотребление: Эффективная работа в диапазоне напряжений питания от 1.7 В до 1.9 В.
• Компактность: Корпус 165-FBGA (13x15) обеспечивает удобство монтажа и экономию места на печатной плате.

Недостатки

• Снято с производства: Может быть трудно найти в продаже.
• Требуется внимательное управление питанием: Требуются точные параметры напряжения.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: Маршрутизаторы, коммутаторы.
• Системы хранения данных: Системы RAID, твердотельные накопители (SSD).
• Высокопроизводительные вычислительные системы: Сервера, рабочие станции.

Рекомендации по применению

• Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах 1.7 В - 1.9 В для стабильной работы устройства.
• Используйте соответствующую топологию разведения питания и заземления, чтобы минимизировать шум и помехи.
• Оптимизируйте тепловое управление для долговременной стабильной работы микросхемы.

Основные технические характеристики

• Память: 18 Mbit
• Организация памяти: 512K x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота работы: До 250 МГц
• Напряжение питания: 1.7 В - 1.9 В
• Диапазон рабочих температур: 0°C - 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

• CY7C1380D-250AXC: Подобный объем и архитектура, но с другой частотой.
• IS61WV51232BLL-10BLI: Альтернативная SRAM память от ISSI.

Используйте SY7C1320CV18-250BZXC от Infineon для качественной и надежной работы ваших высокопроизводительных систем.