CY7C1318JV18-300BZC

CY7C1318JV18-300BZC от Infineon

Описание

CY7C1318JV18-300BZC — это высокоскоростная синхронная статическая память (SRAM) с интерфейсом DDR-II, предлагающая улучшенное быстродействие и доступная в компактном корпусе 165-FBGA. Объем памяти составляет 18 Мбит с организацией 1M x 18.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Частота работы до 300 МГц обеспечивает быструю передачу данных, что важно для приложения с высокими требованиями к производительности.
• Низкое энергопотребление: Напряжение питания от 1.7 до 1.9 В способствует снижению энергопотребления устройства.
• Компактный корпус: Корпус 165-FBGA (13x15 мм) позволяет использовать компонент в пространствах с ограниченными размерами.

Недостатки

• Устаревшая модель: Статус компонента "Obsolete" указывает на устаревание модели, что может усложнить ее обеспечение и поддержку в долгосрочной перспективе.
• Ограниченный диапазон рабочих температур: Рабочий диапазон от 0°C до 70°C может не подходить для использования в экстремальных условиях.

Типовое использование

• Сотовые и мобильные устройства: благодаря низкому энергопотреблению и компактным размерам.
• Высокопроизводительные вычисления: подходит для использования в рабочих станциях и серверных решениях, требующих высокой скорости передачи данных.
• Сетевое оборудование: для быстрого буферизации и обработки данных в роутерах и коммутаторах.

Рекомендации по применению

• Проверка совместимости: Перед использованием компонента проверяйте совместимость с остальным оборудованием вашей схемы, учитывая напряжение питания и частоту работы.
• Дизайн печатной платы: Обратите внимание на рекомендации производителя по разработке печатной платы для обеспечения стабильной работы при максимальных частотах.
• Теплоотведение: При необходимости используйте адекватные меры теплоотведения для обеспечения надежной работы в долгосрочной перспективе.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Synchronous, DDR II
• Объем памяти: 18 Мбит (1M x 18)
• Частота работы: 300 МГц
• Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1412KV18-300BZXC: схожая по характеристикам синхронная SRAM память от того же производителя.
• IS61LV25616AL-10B3LI: Pамять от ISSI с аналогичным объемом, но с разными интерфейсами и рабочими параметрами.
• MT48LC4M32B2P-7E: DRAM аналог от Micron, подходящий для приложений с терпимым энергопотреблением.

Используйте компоненты, проверенные и рекомендованные для вашей области применения, чтобы обеспечить надежность и эффективность ваших схем.