CY7C1315BV18-200BZXI

Описание продукта: CY7C1315BV18-200BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1315BV18-200BZXI представляет собой высокопроизводительный синхронный статический оперативный запоминающий устройство (SRAM) с объемом памяти 18 Мбит от компании Infineon. Этот SRAM использует технологию QDR II (Quad Data Rate II), что позволяет обрабатывать данные на высокой скорости. В корпусе типа BGA (Ball Grid Array) с 165 выводами, данный компонент является идеальным выбором для высокоскоростных приложений, где важны высокая производительность и надежность.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Поддержка частоты до 200 МГц позволяет обеспечить высокую скорость передачи данных.
• Большой объем памяти: 18 Мбит - достаточно для различных высокопроизводительных задач.
• Надежность: Высококачественное исполнение от Infineon гарантирует долговечность и безотказность в работе.
• Компактность: Корпус типа 165-FBGA (13x15 мм) позволяет интегрировать компонент в устройства с ограниченным пространством.

Недостатки

• Высокая стоимость: Цена может быть выше по сравнению с аналогичными компонентами других производителей.
• Необходимость в тщательном охлаждении: При высокой частоте работы потребуется качественное теплоотводящее решение.

Типовое использование

• Сетевые устройства: Switches, маршрутизаторы и другое коммуникационное оборудование.
• Системы хранения данных: Высокопроизводительные решения хранения данных, такие как SSD контроллеры.
• Игровые консоли: Используется для поддержки высокой скорости обработки графики и данных.
• Телекоммуникации: Применяется в базовых станциях и другом телекоммуникационном оборудовании.

Рекомендации по применению

• Температурный режим: Обеспечьте работу компонента в диапазоне температур от -40°C до 85°C для оптимальной производительности.
• Питание: Напряжение питания должно быть в пределах от 1.7В до 1.9В.
• Монтаж: Рекомендуется паять компонент методом поверхностного монтажа (SMD) для надежного крепления.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM (синхронный, QDR II)
• Объем памяти: 18 Мбит
• Организация памяти: 512K x 36
• Интерфейс: Параллельный
• Частота тактирования: до 200 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

• CY7C1315BV18-250BZC - 18 Мбит, похожий функционал с частотой до 250 МГц
• CY7C1315CV18-200BZXI - 18 Мбит, версия с улучшенными характеристиками

Этот компонент идеально подходит для высокопроизводительных и критичных к скорости приложений.