CY7C1315BV18-200BZXC

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1315BV18-200BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1315BV18-200BZXC - это высокоскоростная синхронная статическая оперативная память (SRAM) с четверной скоростью передачи данных (QDR II) от компании Infineon. Этот чип предлагает отличное сочетание скорости и емкости, что делает его идеальным для использования в высокопроизводительных системах.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота тактового сигнала до 200 МГц, что позволяет быстро обрабатывать и передавать данные.
  • Большой объем: Объем памяти составляет 18 Мбит, что обеспечивает хранение большого количества данных.
  • Параллельный интерфейс: Усовершенствованный параллельный интерфейс увеличивает скорость передачи данных.
  • Удобство монтажа: Корпус 165-FBGA (13x15) упрощает интеграцию чипа в устройства.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Может быть дороже по сравнению с другими типами памяти.
  • Потребление энергии: В некоторых случаях может потреблять больше энергии по сравнению с менее производительными типами памяти.

Типовое использование

  • Микропроцессоры и контроллеры: В системах, требующих высокой скорости доступа к памяти.
  • Сетевое оборудование: В маршрутизаторах, коммутаторах и других устройствах, где требуется быстрая обработка данных.
  • Игровые консоли и графические карты: Для обеспечения высокой производительности и быстрого отклика.

Рекомендации по применению

  1. Проектирование с учетом тепловыделения: Обеспечьте достаточное охлаждение для поддержания стабильной работы.
  2. Использование в критически важных приложениях: Оптимально подходит для задач, требующих высокой скорости передачи данных и большого объема памяти.
  3. Проверка совместимости: Убедитесь, что данный чип совместим с используемыми микропроцессорами и контроллерами.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная память
  • Формат памяти: SRAM - Синхронная, QDR II
  • Объем памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512K x 36
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: до 200 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Монтаж: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  1. CY7C1312KV18-200BZXC: Имеет схожие характеристики и является альтернативой для проектов с похожими требованиями.
  2. CY7C1314KV18-200BZXC: Также предлагает высокоскоростную производительность и может использоваться в аналогичных приложениях.

Это пример описания для CY7C1315BV18-200BZXC от Infineon, включающий в себя ключевую информацию, преимущества и типовое использование.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК